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我国正在研制下一代存储芯片 速度提升1000倍

来源:证券时报 2018-05-02 07:54:24
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(原标题:我国正在研制下一代存储芯片 速度提升1000倍)

据报道,武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称,正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,预计明年能在实验室研发成功。到时候,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元,进口替代空间巨大。可关注南大光电、紫光国芯等。

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