存储芯片逆势拉升！机构：缺货涨价行情或贯穿明年全年

（原标题：存储芯片逆势拉升！机构：缺货涨价行情或贯穿明年全年）

11月12日，三大指数低开高走，盘中快速拉升翻红。板块方面，血氧仪、脑机接口、芬太尼、青蒿素等医药、医疗器械概念一枝独秀，有分析认为可能与流感数据提升有关。存储芯片概念受益于涨价浪潮也探底回升，德明利（001309.SZ）、普冉股份（688766.SH）双双涨超8%，北京君正（300223.SZ）、香农芯创（300475.SZ）、江波龙（301308.SZ）等热门股依旧强势。

国信证券认为，存储缺货涨价行情有望贯穿2026年全年，看好利润弹性超预期。上游半导体设备板块由于需求受益，亦引发资金关注。数据显示，高“设备”含量半导体设备ETF（561980）最近10个交易日有7天保持净流入，区间累计“吸金”1.89亿元。

截至10时20分，半导体设备ETF（561980）盘中涨超0.15%，成分股联动科技（301369.SZ）涨超8%，华海诚科（688535.SH）、拓荆科技（688072.SH）涨超2%，江丰电子（300666.SZ）、中微公司（688012.SH）、中芯国际（688981.SH）、寒武纪等多股翻红。

AI需求高增，存储芯片“超级周期”加速

据华尔街见闻报道，三星电子与SK海力士已在第四季度将其DRAM和NAND闪存的价格上调最高达30%，并将新的价格体系传导至客户。

对此，国投证券指出，此举是内存巨头对当前市场供需失衡的直接回应，价格上涨周期已正式开启；人工智能引发的内存“超级周期”正全面加速。

此外，闪存龙头闪迪11月也大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。根据TrendForce，预计四季度一般型DRAM价格涨幅从先前的8-13%上调至18-23%，主要系全球CSP扩充数据中心规模，带动整体DRAM价格上扬。

对于四季度存储芯片超预期涨价的原因，中信建投指出，2025年10月全球存储芯片市场持续涨价，一方面AI驱动需求爆发，AI服务器对高性能存储（如HBM、DDR5）需求激增，挤压传统DRAM产能，导致DDR4等产品供应紧张；另一方面，DRAM库存周期从2023年的31周降至2025年10月的8周，原厂削减DDR4产能转向高利润的HBM和DDR5。

中信建投还指出，两大存储FAB加速新产能扩张，设备国产化率有望提升。国产半导体设备自身正迎来历史性发展机遇，明年有望开启确定性强的扩产周期，设备全行业订单增速或超过30%，有望达到50%+。

解读：存储涨价，为何上游半导体设备需求受益？

从产业链角度看，半导体设备属于存储芯片的上游领域。当存储芯片因为供需失衡持续上调涨价后，芯片厂商盈利能力改善、存在扩产与增加资本开支的必要性，上游设备需求将会受益，从而有望提升订单并加速国产化推进。

开源证券指出，据半导体产业观察，传统DRAM可能在2027年后才开始回稳，NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久，因此国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。

从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求，带动设备价值量提升。因此，持续突破下，存储设备国产化率有望步入增长快车道。

如何选择指数？更高集中度、更高弹性

近期引发资金关注的半导体设备ETF（561980），跟踪指数为中证半导，指数前三大重仓行业为半导体设备（55.41%）、集成电路设计（18.43%）和半导体材料（17.24%），集中度在90%以上，均为芯片产业链的中/上游，也是国产替代的攻坚环节。

数据显示，截至11月11日，中证半导2025年以来涨56.77%，区间最大涨幅超过80%，在主流半导体指数中均位居前列，高弹性特征较为显著。

从前十大来看，中证半导重仓覆盖中微公司（688012.SH）、北方华创（002371.SZ）、寒武纪、海光信息（688041.SH）、中芯国际（688981.SH）、拓荆科技（688072.SH）、华海清科（688120.SH）、南大光电（300346.SZ）、中科飞测（688361.SH）等国产设备、材料与芯片设计龙头，合计占比超过78%，前十大集中度较高。

截至最新交易日，半导体设备ETF（561980）基金规模为26.05亿元，是场内最早跟踪中证半导的ETF之一，投资者或可借道布局国产替代关键领域。