存储芯片价格超预期上涨，科创半导体ETF涨近3%

（原标题：存储芯片价格超预期上涨，科创半导体ETF涨近3%）

2月3日上午，A股三大指数活跃上涨。光伏设备、HJT电池、国产航母等板块涨幅居前。

ETF方面，创板半导体ETF（588170）盘中一度涨近3%，成分股欧莱新材（688530.SH）、兴福电子（688545.SH）涨超5%，华峰测控（688200.SH）、天岳先进（688234.SH）、华兴源创（688001.SH）、中微公司（688012.SH）、有研硅（688432.SH）、中科飞测（688361.SH）、新益昌（688383.SH）、华海清科（688120.SH）等上涨。

消息面上，高盛表示，DRAM的合约价格不仅未跌，反而迎来了更猛烈的上涨预期。另有机构指出，第一季度全球存储供需失衡加剧，全面上调DRAM、NAND产品第一季度环比增幅。存储芯片价格超预期上涨，成为驱动半导体板块上涨的核心催化因素。

平安证券表示，受存储成本上升影响，2026年全球智能手机出货量预期将年减2.1%。建议关注具备规模优势、较完整产品线（尤其是高价位段机种）以及垂直整合能力的品牌。折叠屏产品、AI手机及AI眼镜等产品正在兴起，有望给产业链带来新的发展机遇，相关产业链公司有望受益。另外，上海市“火箭星城”建设方案正式发布，全力打造全国航天产业高地，力争到2027年产业规模达到1000亿元左右。

东方证券指出，AI算力需求强劲带动存储紧缺。部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求。但我们认为，AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续。DRAM方面，在服务器DRAM上北美及国内各大云端服务业者（CSP）和OEM持续和存储器原厂洽谈年度DRAMLTA（long-termagreement）供应量。由于买方积极竞逐原厂供给，将带动第一季ServerDRAM价格上涨约90%，幅度创历年之最。NAND方面，随着推理AI应用场景扩大，市场对高效能储存设备的需求远高于预期，北美各大CSP自2025年底起开始强力拉货，刺激EnterpriseSSD订单爆发。在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货以尽早补足库存，推升2026年第一季EnterpriseSSD价格将季增53%—58%，创下单季涨幅最高纪录。