AI驱动存储芯片超级周期

国产概念股业绩分化显著

作者 | 胜马财经 李察

编辑 | 欧阳文

全球存储芯片行业正迎来前所未有的“超级周期”。AI基础设施需求爆发引发的存储产能“虹吸效应”，推动DRAM、NAND、HBM（高带宽内存）等核心品类价格飙升，三星NAND闪存供应价格一季度涨幅超100%，远超市场预期。

胜马财经注意到，这一行业浪潮下，国内存储芯片概念股业绩呈现鲜明分化。据企业预警通2025年业绩预告数据（截至1月26日），29家存储芯片概念股中，20家实现净利润同比预增，9家预亏，行业“马太效应”凸显。同时，新思科技、美光等全球行业龙头预警，存储芯片紧缺局面将持续至2027年，部分机构预判可能延伸至2028年，国产厂商在这场供需重构中迎来机遇与挑战并存的发展窗口期。

国产概念股业绩分化

头部与黑马双线领跑

从存储芯片概念股2025年业绩预告数据来看，行业盈利格局呈现“三层分化”特征，头部企业的规模优势与细分赛道黑马的爆发力形成鲜明对比，而部分企业的亏损则暴露行业竞争短板。

头部企业筑牢盈利壁垒，规模与增速双优。数据显示，净利润预测上限超15亿元的企业共有3家，形成第一梯队。大华股份以38.54亿元的净利润预测上限位居榜首，同比增速上限达32.65%，其作为存储模组领域的龙头企业，受益于AI服务器与数据中心存储需求的双重拉动。

澜起科技紧随其后，净利润预测上限23.5亿元，下限21.5亿元，同比增速区间为52.29%-66.46%，公司在DDR5内存接口芯片领域的技术优势，使其在高端存储产业链中占据关键地位；兆易创新净利润预测上限16.1亿元，同比增长46%，其2025年营业收入预计达92.03亿元，同比增加25%，营收与利润的同步增长，印证了公司在 NOR Flash 与 MCU 业务协同发展的成效。

这三家企业的业绩表现，凸显出头部厂商在技术研发、客户资源与产能布局上的竞争壁垒，在行业紧缺周期中更易获得订单与利润优势。

在业绩预告中，多家中小市值企业展现出惊人的增长潜力，成为行业“第二增长曲线”的代表。佰维存储（688525.SH）以520.22%的同比增速上限、427.19%的下限，成为增速最快的企业，其净利润预测区间为8.5亿-10亿元，公司在存储模组与先进封装领域的布局，精准契合了AI服务器对高性能存储的需求，此前公司在投资者调研中也确认，2026年第一、二季度存储产品价格有望持续上涨。

好上好与神工股份分别以175.35%、167.31%的同比增速上限紧随其后，前者在存储分销与方案设计领域受益于消费电子存储升级，后者则凭借半导体硅材料业务的技术突破，在存储芯片上游材料环节占据先机。

香农芯创同比增速上限达134.78%，净利润预测区间4.8亿-6.2亿元，其存储芯片代理业务与自研模组业务的协同，使其在行业涨价周期中快速兑现利润。这些企业的爆发式增长，印证了存储行业细分赛道的机遇——无论是HBM配套、存储材料还是分销环节，只要精准切入高需求领域，中小厂商也能实现跨越式发展。

有人欢喜有人忧，行业风口期，部分企业也未能逃脱亏损，行业风险加速暴露。与业绩高增形成反差的是，9家企业在2025年预告亏损，折行业竞争的残酷性。西安奕材以7.38亿元的净利润预测上限（亏损）成为亏损额最高的企业、东芯股份、晶升股份同样预计去年业绩亏损。

复旦微电、盛景微虽未亏损但业绩同比下滑明显：复旦微电预计2025年净利1.9亿元至2.83亿元，同比降幅50.58%至66.82%；盛景微预计净利1000万至1500万元，同比降幅34.53%至56.35%。业绩下滑核心原因是其产品未能适配AI驱动的高端存储需求，仍依赖传统消费电子市场，而该市场被HBM等高端产品挤压，导致订单与利润双降。

AI需求叠加产能倾斜

行业紧缺格局延至2027年

存储芯片概念股的业绩分化，本质上是行业结构性变革的缩影。2025-2026年，全球存储芯片行业正经历“需求重构、产能倾斜、技术升级”的三重变革，推动价格持续上涨，而这一紧缺格局预计将延续至2027年，为国产厂商带来长期机遇。

AI需求重构存储市场，高端产品成“战略物资”。本轮存储芯片涨价核心驱动力是AI基础设施对高性能存储“刚性饥渴”。一台高性能AI服务器对DRAM的需求是传统服务器的8-10倍，对NAND闪存的需求达3倍，存储成本在AI服务器硬件总成本中的占比已从20%升至35%-40%。

尤其是HBM，作为AI大模型训练的“必需品”，通过3D堆叠技术将带宽提升至传统内存的10倍以上，OpenAI、谷歌、微软等巨头为锁定产能，不惜支付高额溢价，订单已排至2027年以后。

这种需求并非短期波动，而是长期结构性变革。随着AI从训练阶段迈向规模化推理应用，“以存代算”技术成为企业降本增效的核心路径，进一步拉高高端存储需求。数据显示，2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元，企业级SSD营收季增28%达65.4亿美元，创年度新高，印证了AI驱动的需求爆发。

头部厂商产能“弃低追高”，中低端市场供需缺口扩大。面对AI需求的高利润诱惑，掌控全球超90% DRAM市场的三星、SK海力士、美光做出明确战略选择，将80%以上的新增先进产能转向HBM与服务器级DDR5，同时主动削减甚至停产DDR4等成熟制程产品。

更关键的是，生产1GB HBM消耗的晶圆面积是传统DRAM的3倍，即便晶圆厂满负荷运转，留给手机、PC、汽车等传统领域的产能也大幅缩水，这种产能倾斜直接导致中低端市场供需失衡。体现在价格上，2024年底至2025年12月，16GB DDR4内存条价格暴涨1800%，三星2026年第一季度NAND闪存供应价格上调100%，远超此前预测的33%-38%。

全球存储芯片供需失衡，为国产厂商提供了难得的替代窗口。从业绩数据来看，除佰维存储、兆易创新等企业的高增长外，长鑫存储2025年DRAM出货量同比增长50%，全球市场份额从6%提升至8%，首次实现年度扭亏为盈，净利润区间达20-25亿元，其DDR4产品在国内消费电子与工业领域的替代率持续提升。

长江存储在QLC、TLC NAND闪存技术上实现突破，2025年出货量稳居全球前十，旗下消费级SSD产品凭借性价比优势，去年在国内市场份额突破12%。

封测环节，通富微电（002156.SZ）净利润预测区间11-13.5亿元，同比增速上限达99.24%，公司募资44亿元用于存储封测产能升级，已成为国内少数能承接HBM封测订单的企业。

与此同时，国产厂商加速资本化与产业链协同布局：兆易创新2026年1月完成H股上市，发售价162.00港元/股，募资净额46.11亿港元（约42亿元人民币），用于NOR Flash与DRAM技术研发；长鑫科技递交科创板IPO申请，拟募资295亿元建设先进DRAM生产线，标志着国产存储从“技术突破”向“规模化扩张”迈进。

2025-2026年的存储芯片“超级周期”，本质上是AI技术革命与全球产能重构共同催生的行业变革，国产概念股业绩分化正是这场变革的真实写照。头部企业凭借技术与规模壁垒抢占高端订单，细分赛道黑马依托精准布局实现爆发式增长，而技术滞后、适配能力不足的企业则在周期中陷入困境，行业“马太效应”进一步加剧。

从行业前景来看，存储芯片紧缺格局预计持续至2027年，部分机构预判可能延伸至2028年，AI服务器、数据中心等需求将持续为行业增长提供动力。TrendForce集邦咨询预测，2026年全球存储芯片市场规模将达5516亿美元，同比增长134%。

对于国产厂商而言，这既是替代机遇，也是技术攻坚的考验——唯有持续加大研发投入，补齐高端领域短板，推动产业链上下游协同，才能在全球存储芯片竞争格局中占据更重要的位置。

在胜马财经看来，对于投资者，需理性看待行业分化，头部龙头与细分赛道优质企业的业绩增长具备持续性，可重点关注技术壁垒与订单储备；而依赖传统业务、缺乏核心竞争力的企业，需警惕业绩进一步下滑风险。随着AI技术的持续渗透与国产替代的加速推进，存储芯片行业将迎来更深刻的结构性变革，而这场变革也将重塑全球半导体产业的竞争格局。

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