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晶合集成公布“干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法”专利

(原标题:晶合集成公布“干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法”专利)

天眼查APP显示,近日,合肥晶合集成电路股份有限公司申请的“干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法”专利公布。 摘要显示,本申请涉及一种干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法。所述干法刻蚀系统包括刻蚀腔体、载台、转动装置以及旋流模组。所述刻蚀腔体顶部具有进气口,所述刻蚀腔体底部具有抽气口。载台位于所述刻蚀腔体内,用于承载晶圆,所述抽气口位于所述载台的侧向。转动装置位于所述刻蚀腔体内,用于带动所述载台旋转。旋流模组位于所述刻蚀腔体内,且位于所述载台的靠近所述进气口的一侧,用于使得所述载台正上方的气体旋转下落,且使得所述气体的转动速度与所述载台的转动速度基本一致。本申请能够提高刻蚀均匀性。
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