(原标题:下一代存储芯片比现在快1000倍 预计明年研发成功)
据报道,武汉光电国家研究中心100多人的研发团队正全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人、华中科技大学光电学院副院长缪向水称,“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,预计明年能在实验室研发成功。到时候,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。目前,英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”