SK海力士，赢麻了！

（原标题：SK海力士，赢麻了！）

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来源：内容综合自彭博社等，谢谢。

SK海力士公司公布季度利润创纪录，此前该公司在数据中心和人工智能开发用先进内存芯片领域扩大了领先地位。

Nvidia Corp. 的主要高带宽内存供应商在 12 月季度的营业利润为 8.08 万亿韩元（合 56 亿美元），与分析师的预期一致，收入增长了 75%。该公司还将年度股息提高了 25%，至每股 1,500 韩元。

这一结果凸显了 SK 海力士在 Nvidia 加速器训练 AI 所需的 HBM 领域仍然处于领先地位，而其长期竞争对手三星电子则处于劣势。这可能有助于缓解人们对微软和 Meta Platforms Inc. 等大型科技公司在全球范围内对 AI 数据中心的狂热支出已达到顶峰的担忧。

不过，人工智能基础设施的长期需求仍令人鼓舞。软银集团、OpenAI、甲骨文公司和阿布扎比支持的 MGX 计划成立一家价值 1000 亿美元的合资企业，为数据中心提供资金和建设。在唐纳德·特朗普总统的推动下，这一消息推动了从 Nvidia 到 Arm Holdings Plc 等人工智能公司股价的上涨。

SK 海力士仍然是 ChatGPT 类生成式 AI 服务所需零部件供应竞争的主要受益者之一。SK 海力士在 HBM 设计和供应方面远远领先于三星和美光科技，仅在本月，该公司股价就上涨了近 30%，并在 2024 年延续了 20% 以上的涨幅。

本季度，HBM 占其整体 DRAM 芯片收入的 40%。该公司预测，随着对 AI 服务器的投资增加以及推理（根据数据进行预测）的重要性日益增加，对这种高端内存的需求将继续增加。该公司表示，尽管这家韩国公司预计消费市场将进行库存调整，但配备 AI 功能的个人电脑和智能手机的销量将扩大，从而推动下半年销量回升。

周三，三星发布了其最新的 Galaxy S25 新品，承诺将增强 AI 功能。

SK 集团董事长崔泰源在拉斯维加斯的 CES 上告诉记者，SK 海力士已经加快了发展步伐，以满足 Nvidia 的需求。在那次旅行中，他会见了 Nvidia 联合创始人黄仁勋，讨论了加深双方关系的方法。

这家韩国公司 11 月表示，预计将在 2025 年下半年向客户提供 HBM4，重申了 10 月份财报电话会议上首次提出的时间表。

三星还表示，计划在 2025 年下半年量产 HBM4 芯片，希望以更先进的产品赶超规模较小的竞争对手。

彭博行业研究指出：

SK 海力士在最先进 HBM 芯片领域占据主导地位，这可能有助于实现稳定的营业利润率，尽管智能手机和个人电脑对传统 DRAM 的需求可能正在失去动力。NAND 芯片的平均售价可能与美光一起略有下降。由于季节性需求疲软，SK 海力士可能预计 DRAM 和 NAND 芯片的出货量将在第一季度环比下降，然后在第二季度复苏。

不过，SK海力士最近的股价上涨意味着其目前的市净率约为 2.8，高于三年平均水平 1.6。

尽管崔泰源对此表示有信心，但 SK 海力士是否确实能在 2025 年推出下一代 AI 内存取决于 Nvidia 复杂的资格认证流程。

SK海力士将于量产1c DRAM，而三星则推迟了六个月

据MoneyToday报道，SK海力士将其10nm级第六代（1c）DRAM的开发再推迟了六个月，将目标日期推迟到2025年6月。

另一方面，MoneyToday在此前的报道中透露，SK海力士最快将于2月份成为全球首家采用1c工艺量产DRAM的公司。

据报道，SK海力士近期已完成1c DDR5的量产认证。

然而，消息人士向 MoneyToday 透露，虽然三星在 2024 年底获得了首款功能齐全的 1c DRAM 芯片，但其产量未能达到目标水平（通常为量产准备的 60-70%）。

值得注意的是，报道还补充道，由于产量问题导致的延迟也可能影响三星计划在 2025 年下半年进行的 HBM4 量产。

报道称，业界通常认为每一代产品的开发周期为 18 个月。尽管三星于 2022 年 12 月开发出第五代 10nm 级（1b）DRAM，并于 2023 年 5 月宣布量产，但此后一直没有关于其 1c DRAM 进展的消息。

对于三星来说，追赶的希望可能变得更加遥远，因为其 HBM 竞争对手似乎正在步入正轨。根据ZDNet之前的报道，SK 海力士计划最早在 2025 年 6 月向 NVIDIA 交付 HBM4 样品，预计全面产品供应将在第三季度末开始。

MoneyToday 的报告提出了这样的担忧：1c DRAM 开发的延迟肯定会影响三星的 HBM 计划。虽然 DDR5 是 1c 的核心产品，但 HBM 开发通常会随后进行。MoneyToday 强调，如果 1c DRAM 的生产在 2025 年底开始，HBM4 的生产可能会进一步推迟到 2026 年。

为了避免最坏的情况发生，报道表示三星正在对1c DRAM设计进行调整，并将尽最大努力加快开发进程。

美光HBM的出击

美光科技公布了其计划的进一步措施，以期在快速扩张的高带宽内存市场中占据一席之地。

这家美国半导体巨头在其 2025 财年第一季度财报电话会议上透露，计划在 2026 年推出 HBM4 内存产品，随后在 2027/2028 年推出 HBM4E，其 64GB、2TBps 部件专为先进的 AI 和数据中心应用而设计。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 强调 HBM 在公司计划中的重要性日益增加，他表示：“HBM 市场将在未来几年呈现强劲增长。到 2028 年，我们预计 HBM 总目标市场 (TAM) 将从 2024 年的 160 亿美元增长四倍，到 2030 年将超过 1000 亿美元。我们对 2030 年 HBM 的 TAM 预测将大于 2024 年包括 HBM 在内的整个 DRAM 行业的规模。”

Mehrotra 对下一代 HBM 表示兴奋，并补充道：“凭借强大的基础和对成熟的 1β 工艺技术的持续投资，我们预计美光的 HBM4 将保持上市时间和能效领先地位，同时性能比 HBM3E 提高 50% 以上。”

HBM4E 版本预计将于 2027 年底上市，它将包含一个可定制的逻辑基片，采用台积电的先进制造技术。这一设计特点将允许某些客户修改逻辑层以更好地满足他们的需求，目的是提高性能和效率。

即将推出的内存解决方案预计将用于旗舰 GPU，例如Nvidia的 Rubin R100 和AMD的 Instinct MI400x 的继任者。美光已经凭借其 HBM3E 技术在市场上展示了吸引力。“我们很自豪地告诉大家，美光的 HBM3E 8H 被设计用于 Nvidia 的 Blackwell B200 和 GB200 平台，”Mehrotra 在电话会议中表示。

尽管美光是 HBM 领域的新手，该领域目前由韩国内存巨头 SK 海力士及其邻居兼主要竞争对手三星主导，但该公司对其竞争定位仍然持乐观态度。

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