押注AI窗口期！三星(SSNLF.US)2026年欲砸733亿美元 扩产、研发齐头并进

（原标题：押注AI窗口期！三星(SSNLF.US)2026年欲砸733亿美元 扩产、研发齐头并进）

智通财经APP获悉，三星电子(SSNLF.US)计划在2026年投入超过110万亿韩元(约合733亿美元)用于资本支出和研发，这反映出其正在扩大存储芯片产能、并加大对人工智能(AI)等领域的探索。该公司周四在一份简短声明中表示，这项投资将用于巩固其在AI技术领域的领先地位。

当前，存储市场正处于供不应求的景气周期。在AI基建热潮引发的对高带宽内存(HBM)的强劲需求的影响下，三星电子、SK海力士以及美光科技(MU.US)这些存储芯片巨头正将越来越多的产能分配至HBM，导致面向智能手机、PC及服务器的通用型DRAM出现严重短缺。

在此背景下，这些存储芯片巨头正在通过新建或升级制造设施和先进封装厂来扩充产能。直到去年年底，这些企业还在谨慎控制产能扩张，吸取过往存储芯片厂商之间陷入恶性价格战的教训。而如今，鉴于存储芯片市场持续繁荣，他们正转向积极扩产，因为不增加生产线将难以满足目前市场需求。

警惕2028年供需逆转，三星与SK海力士“谨慎乐观”

不过，考虑到建设产线通常需要约两年时间，从2028年起，三星、SK海力士与美光科技的产能预计将整体跃升至新水平，届时供需平衡可能面临重新洗牌的风险。据知情人士透露，三星电子DS(半导体)事业部管理层正与业务支持团队共同研判全球存储半导体市场或于2028年前后出现逆转的可能性。

因此，面对供需逆转的潜在风险，三星、SK海力士选择了“谨慎乐观”。一方面，这两家巨头仍在积极扩大HBM和先进DRAM工艺的投资。三星正在华城基地推进10纳米第五代(1b)DRAM制程转换，并以平泽工厂为核心扩建新产线。SK海力士则在其M15X新工厂持续推进下一代DRAM产线建设。这些举措旨在抓住AI带来的高利润窗口期。

但另一方面，两家公司对通用型DRAM的扩产计划却很审慎。SK海力士多次公开表态，将以“实际需求而非乐观预期”作为扩产依据。三星更是将“避免过度投资”列为当前存储业务战略的重要关切。这种克制，源于对2028年产能集中释放后可能出现的过剩危机的深刻反思。

三星DS事业群高层早前就曾指出，尽管目前AI需求带动存储芯片进入“超级周期”，但公司将优先考虑长期获利能力，而非单纯的市占率扩张。这意味着在未来两年内，三星将根据需求预测精确调整产能计划，以避免过度扩张重蹈过去景气循环的覆辙，同时谨慎扩产，将更多产能投入到能带来高额利润的HBM。

SK海力士先前也表达类似观点，强调在扩大产能方面将保持极度审慎。SK海力士在其内部分析报告中指出，由于通用型DRAM(如DDR5、LPDDR6)的生产线持续向利润更高的高带宽内存(HBM)倾斜，消费级市场的供应紧张状况可能一路持续到2028年。该公司计划将资本支出重点放在先进封装与HBM技术，而非传统的晶圆产能翻倍。

相比之下，美光科技显得更为激进。该公司正在新加坡及美国大举扩建DRAM产线，并自去年起大规模采购设备以提升HBM供给能力。考虑到晶圆厂约两年的建设周期，美光科技的产能将在2028年前后集中释放。