台积电(TSM.US)砸重金赴日“攻坚”尖端制程，3纳米芯片2028年将实现日本造

（原标题：台积电(TSM.US)砸重金赴日“攻坚”尖端制程，3纳米芯片2028年将实现日本造）

智通财经APP获悉，有媒体援引一份声明报道称，全球最大半导体代工企业台积电(TSM.US)预计将于2028年在其日本第二工厂启动设备安装及3纳米晶圆量产工作。

台积电首席执行官魏哲家今年2月与日本首相高市早苗会晤时表示，该公司计划在该国第二家晶圆厂实现先进3纳米芯片的量产。

根据周二披露的修订方案，台积电日本第二工厂将通过先进的3纳米制程技术，实现每月1.5万片12英寸晶圆的产能。

台积电此前在日本的布局主要聚焦于成熟制程技术。2024年，该公司曾宣布其第一、第二工厂总投资额将超过200亿美元，合计月产能达10万片12英寸晶圆，制程工艺涵盖40纳米、22/28纳米、12/16纳米及6/7纳米等成熟技术。

日本今年2月报道称，第二工厂投资总额或将高达170亿美元，但台积电尚未证实该数据，亦未就相关投资金额报道作出回应。

台积电在日本的首家晶圆厂已于2024年底进入量产阶段。

该公司于2021年在索尼半导体解决方案公司的支持下，成立了日本先进半导体制造公司作为其日本子公司。随后，日本电装公司与丰田汽车公司(TM.US)亦作为少数股东入股。

上周，博通(AVGO.US)通物理层产品部门产品营销总监Natarajan Ramachandran周二表示，其制造合作伙伴台积电的产能已接近极限，在人工智能芯片需求激增的情况下，整个行业正面临更广泛的供应链制约。

他补充道，“我们看到台积电的产能已经达到极限，”“他们将在 2027 年之前提高产能，但这已经成为瓶颈，或者说在 2026 年已经阻碍了供应链。”

台积电1月份表示，与客户的合作洽谈周期至少提前2-3年。其首席执行官魏哲家表示，产能可谓“极度紧张”，公司正在加快在中国台湾和亚利桑那州的产能扩张，以满足人工智能的需求。

“我们迄今为止一直在努力缩小供需差距，”他补充道。“可能今年、明年，我们必须付出更大的努力才能进一步缩小差距。”