传SK海力士(SKHY.US)拟首度赴美造存储芯片 租英特尔(INTC.US)俄亥俄厂或建合资

（原标题：传SK海力士(SKHY.US)拟首度赴美造存储芯片 租英特尔(INTC.US)俄亥俄厂或建合资）

智通财经APP获悉，韩国SK海力士(SKHY.US)据悉正与英特尔(INTC.US)磋商一项交易，若成行，其将首次在美国本土生产存储芯片。潜在方案之一为，SK海力士租用英特尔在俄亥俄州长期筹划的晶圆厂部分设施;另一方案为，与英特尔以及急于锁定存储芯片供应的主要云厂商组建合资企业。

但消息人士称，韩国方面的潜在反对可能构成重大障碍。一位消息人士称，相关磋商尚处探索阶段，并强调尚未作出任何决定;SK海力士也可能考虑其他交易架构。

SK海力士在声明中表示，正在“评估多种措施，包括建立更多生产基地，以增强存储业务竞争力”，但“目前尚未确定任何事项”。

韩国存在多项战略考量。韩国将半导体产业指定为国家战略产业，要求企业在海外设立生产基地前必须获得政府批准。

SK海力士和三星电子已被韩国政府要求加速建设龙仁半导体产业集群，而首尔方面也有意将SK海力士的美国投资承诺作为韩美更广泛投资谈判中的筹码。在韩国提出的3500亿美元对美投资方案中，约1500亿美元已划拨给造船业，剩余约2000亿美元尚未确定，首尔不希望这一池资金被单一企业提前锁定。

此外，因这类技术被视为敏感技术，任何生产HBM乃至DRAM等先进存储芯片的协议，都可能遭到韩国政府反对。

英特尔拒绝就其所称的“猜测”置评，但补充称，公司仍在继续推进俄亥俄州投资，以做好该厂址的启用准备。

分析人士指出，这笔交易若能达成，对英特尔和特朗普政府而言堪称双赢——前者获得急需的运营伙伴以分摊俄亥俄工厂的巨额成本，后者则可将其标榜为半导体制造业回流美国的又一标志性成果。

AI驱动的存储芯片短缺仍存在。当前AI和数据中心投资热潮导致存储芯片供应极度紧张，SK海力士在HBM市场占据主导地位。

据Counterpoint Research数据，2026年第二季度SK海力士以50%的营收份额保持全球HBM市场第一，但较上一季度的58%有所下滑;三星电子则从21%跃升至33%，美光科技以18%位列第三。SK海力士在HBM领域面临的竞争压力正在加大，这也在一定程度上推动其寻求更贴近美国客户的产能布局。