美光(MU.US)Q4电话会：管理层高呼“看不到供需平衡时点” 明年75%出货已锁定 2028年比2027年更紧

（原标题：美光(MU.US)Q4电话会：管理层高呼“看不到供需平衡时点” 明年75%出货已锁定 2028年比2027年更紧）

智通财经APP获悉，美东时间9月30日美股盘后，美光科技(MU.US)公布2026财年第四财季的业绩报告，管理层在电话会议上释放乐观信号，称AI驱动的内存需求持续强劲，2027年及2028年供需将保持紧张，公司对长期增长信心增强。管理层称，2027财年超过75%出货已锁定，SCA覆盖至2030年约35%销售额;HBM增速快于传统DRAM，2027年定价已显著上调。供应端受洁净室建设、技术转型回报递减及HBM trade ratio上升制约，公司暂未看到供需平衡时点。

管理层核心观点是：AI驱动的内存需求远未看到供需平衡，2027年及2028年市场将持续紧张，甚至2028年可能比此前预期更紧。总裁兼首席运营官Manish Bhatia表示，服务器单位进入2027年继续增长，代理式AI快速兴起还带来CPU驱动的内存需求;公司2027财年超过75%出货已锁定，并已将客户分配谈判延伸至2028年。供应端则受制于技术转型回报递减、HBM增长快于传统DRAM、HBM产能消耗比(trade ratio)上升以及洁净室建设周期长等结构性约束，因此公司“看不到供需何时平衡”。

HBM仍是焦点。管理层称HBM出货增速将快于传统DRAM，到2028年占行业产能份额继续提升;2027日历年的HBM定价已显著上调，并将在年初重置，以缩小与传统DRAM的盈利差距。HBM市场份额方面，公司不追求单一数字，而是大致维持与整体DRAM份额相当。HBM4E方面，Scott DeBoer称公司与英伟达共同设计NV HBM已一年多，这将是首个重要定制HBM产品，差异体现在功耗、速度和产品质量，预期带来高价值与强ROI。

战略客户协议(SCA)方面，公司已签署26个SCA，到2030年覆盖约35%销售额，涵盖DRAM和NAND;其中DRAM量略低于35%，NAND位元略高。新签10个客户从小型到大型不等，所有业务单元均有覆盖。约四分之三SCA收入有明确价格框架，四分之一开放定期谈判或随市场定价，多数设有上下限，但新协议已按当前市场条件和未来紧张预期重新定价。

资本支出方面，CFO Mark Murphy称2027财年建设资本支出增加主要投向2028年底及以后上线的洁净室，以加速产能空间;但支出不会立即转化为位元，公司将根据需求趋势和设备供应协议灵活配备产能。中国方面，管理层称中国敞口持续下降，2027财年预计降至个位数;技术领先中国竞争对手至少2个节点，1-gamma DRAM已是多数位元，1-delta将于明年下半年量产，EUV是关键差异化。

对于移动和客户端，管理层承认位元出货环比下降，但收入因定价和组合改善而增长，高端客户端和旗舰手机需求强劲。NAND方面，预计行业2027-2028年增长约20%中段，市场保持紧张;新加坡洁净室用于先进研发和HBM试点，导致今年供应增长低于行业，但G9爬坡将提供高ROI供应。整体上，管理层认为AI硬件需求、SCA锁定和供应约束将支撑长期强劲财务表现，尽管启动成本和价格涨幅放缓可能部分抵消利润率扩张。

以下为美光科技2026财年第四季度财报电话会议纪要：

Satya Kumar

投资者关系与司库企业副总裁

欢迎参加美光科技2026财年第四季度财报后分析师电话会议。今天与我共同出席的有总裁兼首席运营官Manish Bhatia、总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer博士，以及首席财务官Mark Murphy。

提醒各位，我们今天讨论的内容包含有关市场供需、市场趋势与驱动因素、预期业绩与指引及其他事项的前瞻性陈述。这些前瞻性陈述受风险和不确定性影响，可能导致实际结果与今日陈述存在重大差异。请参阅我们向SEC提交的文件，包括最新10-K表格及即将提交的10-Q表格，以了解可能影响业绩的风险。

尽管我们认为前瞻性陈述所反映的预期合理，但无法保证未来结果、活动水平、业绩或成就。我们没有义务更新任何前瞻性陈述以使其符合实际结果。现在开放问答。

问答环节

Benjamin Reitzes

Melius Research LLC

恭喜履新，Scott。我想谈谈2028年。你们新增了对2028年的评论，并称2028年供需比今年和2027年更紧张。我想了解哪些因素发生变化，以及对利润率意味着什么。你们围绕2027年给出了比以往更多的利润率评论，这很好，但我不认为2028年利润率会偏离你们对2027年暗示的水平。请就2028年进一步说明。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

当然，Ben。我先回答，Mark如有补充再说。也感谢你的祝贺。就2027年和2028年而言，我们看到的需求驱动因素较以往更强。我们提到服务器单位进入2027年继续增长。同时，代理式AI增长迅速，正形成CPU驱动的需求流。因此，在制定2027财年计划时，我们已锁定全年超过75%的出货量，显示需求走强，并使我们能够将与客户关于分配的谈判延伸至2028年。

这是信心来源之一：2027年需求形势较此前预期更强。同时，随着我们与客户进行更多长期协议(SCA)谈判，包括已谈成的延期，我们对长期前景也更有信心。两者结合，使我们对到2028年的需求前景非常强劲。

供应侧，我们此前讨论的结构性约束仍在：技术转型的回报递减;到2028年HBM增速快于传统DRAM，意味着HBM在行业产出能力中的份额上升;同时，不仅针对当前HBM的产能消耗比(trade ratio)，未来更复杂HBM的更高产能消耗比也将限制供应。

此外，全行业新建洁净室需要较长时间建成、认证并配备设备，即便投产，也需数个季度才能形成有意义出货。因此，综合需求与供应前景，我们目前看不到供需平衡的时点。

Mark Murphy

执行副总裁兼首席财务官

Ben，我补充一点。正如你所指，2027年我们已表示，全年利润率将较第一季度扩张，原因是价格继续上涨，但涨幅更为温和。我们此前也多次表示，价格涨幅最终将放缓。届时，除较低速度的涨价外，产品组合将改善，我们将基于技术与产品领先地位优化组合。

正如我们所说，市场状况预计保持紧张，并将在2028年前提供支撑。价格与有利组合的部分抵消项是启动成本。但这些都是我们正在管理的事项，我们预计能够维持强劲财务表现。

Benjamin Reitzes

Melius Research LLC

再追问一个。Sanjay在特朗普的午餐会上占据重要席位。他是否对行业增长与自我监管能力感到乐观?这是否支持其给出的乐观指引?会议是否有更多信息，内存是否被频繁提及?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Ben，Sanjay不在线，我仅就我所了解的对话说明。我们当然很高兴参与该论坛。美光与模型公司及加速器公司一同受邀，显示内存的重要性。会议发布的白皮书框架已获多家模型公司签署，该框架对继续推进AI基础设施，尤其是AI硬件基础设施，具有建设性。

我了解到，讨论较多的一个概念是，管理部分安全问题的方式是采用安全解决方案，而这将需要更先进硬件，包括更高性能、更低延迟内存，以及更高带宽内存。因为未来可能设置的用于管理安全问题的网关，其响应能力将在很大程度上取决于高性能与低延迟内存的可用性。

Melissa Weathers

德意志银行研究部

也恭喜两位新晋升者。过去几个季度，你们曾给出对2028年、2030年HBM总TAM的看法。显然，定价环境已发生变化。你们是否愿给出HBM TAM的新官方数字?从方向上看，能否帮助我们估算其中多少来自位元、多少来自定价?以及对市场规模的最新看法?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Melissa，谢谢。我们目前不更新该TAM展望。但我们曾表示，HBM出货量预计快于传统DRAM增长，这意味着到2028年HBM占行业产能的比重将继续上升。定价方面，至少对我们而言，我们已大幅上调日历年2027年HBM定价，并将在日历年初重置，以缩小与传统DRAM的盈利差距。除此之外，我们未对HBM TAM具体前景作出评论。该市场持续增长，仍是重要推动因素，HBM部署继续是释放更广泛AI潜力的关键。因此，它是市场的重要组成部分。

Melissa Weathers

德意志银行研究部

明白。从市场份额看，你们对HBM份额目标是否有更新?过去你们称希望提升至公司平均水平附近，即20%出头的市场份额。现在是否仍如此?另外，我注意到你们在事先准备发言中提到HBM4E及与英伟达的合作。请就2027年及HBM4E客户进展提供更多信息。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

我先回答第一个，HBM4E由Scott回答，因为他负责该产品开发。就HBM市场份额而言，约一年前我们实现了一个里程碑，即HBM市场份额达到整体DRAM市场份额。当时我们表示，目标将根据多种因素变动。除表示HBM份额预计将与整体DRAM份额大致相当外，我们并未更新具体份额目标，也不以某一数字为绝对目标。

份额将因多种因素波动。但如前一问题所述，HBM是市场非常重要的一部分，使我们能够贴近客户设计并部署的加速器平台前沿，也是其他AI兑现承诺与潜力的关键推动因素。

Scott DeBoer

总裁兼首席技术与产品官

我补充关于与英伟达合作的情况。这将是市场上首个重要定制HBM产品。我们已与英伟达在HBM4E上合作一年多，即所谓NV HBM。我们认为其中存在重大机会，因为与关键客户共同设计该产品，使其价值显著超越标准HBM4E。我认为这将对行业产生实际影响，展示未来系统如何优化产品。

Atif Malik

花旗集团研究部

第一个问题关于26个SCA，到2030年占销售额35%。这些是否同时涵盖DRAM和NAND?能否拆分?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Atif，是的。我们不拆分，但SCA协议确实涵盖DRAM和NAND，并持续至2030年。具体而言，DRAM量略低于35%，NAND位元量则略高。展望未来，我们拥有更多可用量。正如我们所说，随着继续就SCA谈判，该数字未来可能更高。

Atif Malik

花旗集团研究部

明白。关于中国竞争影响，首先能否确认中国销售敞口较小?Scott能否评论中国竞争对手在技术上缩小差距的情况?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

第一个问题，是的。过去几年及过去几个季度，我们的中国敞口持续下降，预计2027财年将降至个位数区间。

Scott DeBoer

总裁兼首席技术与产品官

技术方面，目前我们的技术领先中国竞争对手至少2个节点。需要强调的是，我们专注于保持技术领先，并在产品与竞争方式上实现真正差异化。如Manish此前及电话会议中所述，我们的1-gamma DRAM技术已占我们多数位元，并有望成为公司历史上最大节点。该技术依赖EUV。下一代1-delta进展顺利，我们专注于明年下半年量产。EUV技术对今后所有先进DRAM节点都至关重要。我们在该领域的专业能力，包括与技术供应商合作、掩膜技术等，继续是美光的关键差异化因素。

Karl Ackerman

法国巴黎银行研究部

你们在多数产品组合中看到强劲需求，但本季度移动和客户端部门位元出货量似乎连续第二个季度下降。更高内存价格是否在削弱该领域需求?此外，该领域采用SCA较慢，你们的SCA增长是否来自这一客户群?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

谢谢，Karl。我们确实看到移动和客户端业务部位元环比下降，但收入因定价上升和组合改善而增长。需要指出，客户端和旗舰智能手机的高端细分市场对更高内容、更高性能解决方案需求强劲，这也是我们重点关注的领域。受此推动，我们预计PC和移动行业收入将增长，尽管单位销量下降。

SCA方面，我们在所有业务部门均有SCA，包括移动和客户端。我们不具体拆分，但保持SCA有助于向所有终端市场维持多元化供应。

Karl Ackerman

法国巴黎银行研究部

明白。问Scott一个问题。你如何看待你们在HBM4E上的内部优化基础芯片相对同行的竞争力?部分客户正在采用定制解决方案。复杂性和经济价值主要流向计算客户还是HBM供应商?

Scott DeBoer

总裁兼首席技术与产品官

先澄清一点。HBM4E上，我们与英伟达共同设计，但并非像HBM4那样使用内部基础芯片。HBM4E的共同设计基于代工工艺，既用于定制产品，也用于JEDEC标准产品。

差异化方面，正如我们过去在HBM产品上展示的，最终体现在功耗、速度性能以及产品与客户合作中的余量。此前各代产品中，不同供应商表现并不相同，我们认为这将继续是美光在产品质量和能力方面的优势。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Karl，关于经济价值，HBM是高端产品。如Scott所述，带有定制化的NV HBM预计也将是高价值产品。我们相信HBM将继续贡献并成为高ROI产品。

James Schneider

高盛集团研究部

恭喜Manish和Scott。我想了解本季度签署的10个新客户SCA，客户在要求什么?显然他们希望获得供应，且期限更长。但定价结构是否发生变化?鉴于2027和2028日历年预计紧张，如果未来几年可捕获更多上行空间，你们是否不太倾向于要求固定上限和下限定价?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

谢谢，Jim。SCA框架相似，但不同之处在于谈判反映当前市场状况和未来定价前景。因此，定价方向一直向上。这些因素已反映在与客户的讨论中，而此前协议是在CQ2市场条件下设定。我们曾说明，约四分之三的SCA收入有明确价格框架，约四分之一开放定期谈判或随市场动态定价。

整体框架相似，多数定价框架设有上下限区间，但新协议在谈判时已考虑当前市场状况和我们看到的未来紧张。

James Schneider

高盛集团研究部

明白。这是否意味着所有价格上下限都重置到当前更高市场状况?还是定价条件性质也不同?另外，你们是否披露签署初始超大规模客户?这些是否包含在TAM中?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

存在多种框架。我所说的是，多数有定价的框架设有上下限，但我们继续使用多种框架。自上次电话会议以来，新签10个SCA涵盖从小型到大型客户。我们未具体拆分，仅说明目前所有业务部门均有SCA，且客户规模从小型到大型不等，包括最新签署的10个。总计26个。

Christopher Caso

Wolfe Research, LLC

第一个问题，请谈谈资本支出和晶圆厂建设资本支出与工具采购的比较。我从评论中听到，建设资本支出增长更快，不确定理解是否正确。洁净室空间限制正制约今年引入工具的能力。但建设资本支出增加值得关注，因为它至少要到2029年、可能更久后才会带来位元生产。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Chris，我先回答，Mark补充。确实如此。行业主要约束是洁净室空间，因为AI需求的强劲增长出现时间相对较近，而建设洁净室需要较长时间。因此我们正聚焦该领域。你正确指出，2027财年建设资本支出较此前计划增加，大部分用于2028年底及以后上线的洁净室。这既说明建设周期之长，也说明为何现在必须启动建设投资，同时显示我们对长期需求的信心，既来自近期市场趋势，也来自SCA结构以及客户将承诺延长至2030年以后的讨论。这些SCA对我们具有变革意义，使供应与未来需求匹配，并支持有信心地投资。

Mark Murphy

执行副总裁兼首席财务官

Chris，补充一点。大部分增加确为建设资本支出，主要用于加速2028年及以后洁净室空间可用性。我们预计该趋势将持续至2027年以后。你提到的重要一点是，该支出不会立即转化为位元。这些晶圆厂将在需要时配备设备并生产晶圆，依据我们对市场的判断和SCA。这些SCA有助于我们把握市场脉搏，并确保资本支出回报。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

另一点，Chris，我们将根据需求趋势配备洁净室并建设产能。我们一直与设备供应商执行长期供应协议，以确保需要时获得设备。但当然，仍将根据当时需求趋势，在洁净室中配备设备并建设产能。

Christopher Caso

Wolfe Research, LLC

明白。后续问题关于CPU强度对整体位元需求和供需平衡的影响。这可能是年初以来最大增量意外。CPU没有HBM那样的trade ratio效应。这对供需失衡贡献多大?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

代理式工作负载在CPU上执行，这一认识是重要驱动因素。LP、DDR内存和SSD均有很高附着率以支持这些代理式工作流。这些工作流已开始实施，并在企业和消费端推动实际价值。这也是服务器单位强劲增长的原因之一，如我们所述，增速在十几个百分点高位。这也显示，逻辑芯片增长是另一向量，以利用AI趋势。因此，这推高逻辑芯片需求，并进入AI计算总需求，同时对DRAM形成更多约束，表明DRAM是主要约束，而非逻辑或数据中心电力。

我提到，企业代理式工作负载有多种软件实现。Meta的Muse发布后仅数周进展迅速，显示代理式工作负载正多快为消费者实现实际价值。

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

明年供应增长放缓，在资本支出背景下有些意外。你们提到HBM的抑制作用，但差值不应变化那么大。请解释，在资本支出高企情况下，供应为何放缓?有哪些因素?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Joe，你问的是DRAM和NAND两者吗?

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

是的，但主要是DRAM。

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

我们已说明，HBM增长快于传统DRAM。随着行业从HBM3转向HBM4，并在2027年晚些时候转向HBM4E，trade ratio不断上升。这两者同时发生，会抑制位元增长能力。同时，我们和其他行业参与者的位元增长来自新技术节点，转型时机影响位元增长，且新节点回报递减。

这些都是限制供应的因素。但主要因素仍是所有厂商的洁净室空间。尽管我们爱达荷州工厂将在2027日历年中期首次产出晶圆，行业内其他厂商也可能开设洁净室，但此后有意义的供应增长仍需数个季度。这些就是我们认为明年DRAM行业供应出货减少的原因。

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

有道理。如果你们对行业供应保守，而明年供应更多，似乎存在大量被压抑需求。一些AI机架因必要而降低规格，若供应增加，是否会重新提高规格?我是否过于乐观?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

这正是重点。Sanjay在主要电话会议中提到，我们确实认为客户正选择在可用内存供应下最大化计算芯片出货量。这创造了更多内存的潜在需求，以附加到这些计算芯片，从而提升系统性能和终端客户体验。因此，若更多内存可用，很容易被用于AI工作负载中更高内容增长，无论是附加于加速器还是CPU。

Mehdi Hosseini

Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部

几个后续问题。你们强调2026年NAND位元出货低于行业平均。2027至2028年应如何预期?NAND位元需求或出货能否以行业平均25%增长?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

Mehdi，坦率说，我们未对那么远的DRAM或NAND作出评论。我们确实预计NAND整体条件紧张，即使行业预计2027和2028日历年以20%中段增长。我们的供应增长受一些因素影响：目前利用新加坡部分洁净室空间用于未来NAND增长的先进研发线;同时准备明年新加坡HBM工厂爬坡，部分现有洁净室用于试点HBM运营。这导致今年供应增长低于行业。但我们对技术有信心，预计继续向G9爬坡将提供高ROI、成本效益高的供应。此外，今年早些时候破土动工的新洁净室将在2028日历年下半年上线。

Mark Murphy

执行副总裁兼首席财务官

Mehdi，时间关系我插一句。请先问第二个问题，之后我评论。

Mehdi Hosseini

Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部

抱歉，Mark。很快问，我想了解团队看法。观察DRAM，尤其在晶圆层面，设备相同。我认为晶圆层面DRAM具有可替代性，后端存在差异化。这种晶圆层面可替代性此前未见，因为过去周期由单一产品驱动，客户高度集中。我的假设是否正确，即晶圆层面DRAM可替代性使你们能更好管理DRAM成本?

Scott DeBoer

总裁兼首席技术与产品官

先谈一点。我认为有部分正确，但我可能持相反看法。若看前端可变性，或我们在DRAM工艺上为优化HBM、高性能SOCAMM、LPDRAM和DDR6所做的不同，当前差异可能比DRAM历史上任何时候都大。同一节点上需构建不同产品，且内置更多差异化。Manish，你补充?

Manish Bhatia

总裁兼首席运营官

短期内，我们在同一制造线上运行不同产品，确实有助于调整组合，无需在不同晶圆厂运行，可在同一线上运行。但如Scott所述，每种产品有自身优化向量。HBM优化带宽与TSV，需要独特工艺步骤;DDR和LP也各有独特工艺步骤。可替代性最重要的部分是，我们能在需求所在处灵活调整，甚至调整组合以满足客户要求。这都在同一晶圆厂内，是最重要部分。但我不认为它必然有助于成本。

Mark Murphy

执行副总裁兼首席财务官

Mehdi，我想电话会议接近尾声。我很高兴问题集中在技术和业务长期坚实基础与表现上。我原以为会更早出现一些例行问题，现补充：第一季度指引计入DRAM和NAND位元环比单位数增长、成本两位数增长，请建模时注意。另外，剔除激励薪酬影响，研发同比增长将超过上季度所说的10亿美元，2027年将超过10亿美元，因我们增加了研发活动。再次确保这些信息用于建模。