长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)8月7日发布了其突破性技术—XtackingTM。该技术将使得3D NAND闪存具备I/O高性能以及更高的存储密度,产品上市周期更短。
据介绍,采用XtackingTM技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,有利于选择合适的先进逻辑工艺,使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。存储单元将在另一片晶圆上独立加工。当两片晶圆各自完工后,XtackingTM技术只需一个处理步骤就可将二者键合接通电路,且成本增加有限。
长江存储CEO杨士宁表示,“目前世界上最快的3D NAND的I/O速度目标值是1.4Gbps,大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术,有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps。”
在传统3DNAND架构中,外围电路约占芯片面积的20%-30%,降低了芯片的存储密度。随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,可实现更高的存储密度。
据悉,长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3DNAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产。
资料显示,长江存储成立于2016年7月,总投资额240亿美元,是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的存储器解决方案企业。长江存储是紫光集团从“芯”到“云”生态产业链的重要组成部分。