原子高科取得CN112967830B专利，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长_财经频道

（原标题：原子高科取得CN112967830B专利，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长）

金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，原子高科股份有限公司取得一项名为“一种β平面源制备方法和一种β平面源“，授权公告号CN112967830B，申请日期为2021年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。