纳微半导体(NVTS.US)股价狂飙！功率器件研发取得进展 将赋能英伟达(NVDA.US)800V电力架构

（原标题：纳微半导体(NVTS.US)股价狂飙！功率器件研发取得进展 将赋能英伟达(NVDA.US)800V电力架构）

智通财经APP获悉，纳微半导体(NVTS.US)宣布在研发先进的800伏直流(800 VDC)氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得进展，以支持英伟达(NVIDIA)最新发布的用于下一代人工智能(AI)计算平台的800高压直流(HVDC)架构。受此消息提振，纳微半导体周一美股收涨21.14%，盘后再涨超30%。

数据显示，纳微半导体股价在过去六个月内狂飙逾350%。今年5月，5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

据悉，新的电源架构旨在解决AI工厂(即专为大规模人工智能与高性能计算负载而设计的数据中心)中的电力分配挑战。传统的机架内54伏电源分配已无法满足多兆瓦级机柜的功率密度需求。凭借流动比率高达8.23、债务股权比仅为0.02的强劲资产负债表，纳微半导体在为其技术进步项目提供资金方面处于有利地位。

根据该公司新闻稿，这种800伏直流配电系统可在数据中心内实现从公用电力到800伏直流的直接转换，从而消除多个传统转换阶段。这种方法旨在最大化能效、减少能量损耗，并提升系统可靠性。

纳微半导体推出了一款专为GPU电源板上低电压DC-DC转换阶段设计的新型100伏GaN场效应晶体管(FET)产品组合。该公司表示，这些元件通过与Power Chip的战略合作，在200毫米GaN-on-Si工艺上制造。此外，纳微半导体还提供650伏GaN产品和高压SiC MOSFET，用于支持数据中心基础设施中不同阶段的电力转换。

纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre在声明中表示：“随着英伟达引领AI基础设施的变革，我们很自豪能以先进的GaN和SiC电源解决方案支持这一转型，为下一代数据中心提供所需的高效性、可扩展性和可靠性。”

该公司将其技术定位为支持现代AI数据中心从“电网到GPU”的全链路电力系统，为包括英伟达Rubin Ultra在内的先进计算平台提供高压配电与负载端转换的整体解决方案。

此外，纳微半导体宣布管理层变动，Chris Allexandre将于2025年9月1日正式接任公司总裁兼首席执行官，接替联合创始人Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt维持对纳微半导体的“买入”评级，但将目标价下调至8.00美元，理由是尽管该公司季度业绩符合预期，但未来指引低于市场一致预期。