英伟达发布800VDC架构 氮化镓龙头英诺赛科站上风口

（原标题：英伟达发布800VDC架构 氮化镓龙头英诺赛科站上风口）

21世纪经济报道记者陶力 

在10月13开幕的OCP Global Summit 2025上，英伟达（NVIDIA）正式发布了面向未来AI数据中心的800V高压直流（800 VDC）电源架构，并同步发表题为《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》的白皮书，揭示其 “AI Factory（人工智能工厂）” 愿景。

英伟达创始人黄仁勋指出，AI Factory 将成为继电力与互联网之后的 “第三次基础设施革命”——在这个新时代，算力将像电力一样被生成、输送和消耗，成为推动全球经济与产业智能化的核心能源。

在英伟达的主题 Keynote 中，英诺赛科（02577） 被重点展示为 800 VDC 生态体系的核心合作伙伴。该公司可提供从800V 输入到1VGPU输出的全链路 GaN 解决方案，并已在数据中心、电动汽车和消费电子等多个领域实现大规模应用，可以充分满足该方案的技术需求。受到大会消息影响，公司股价在10月14日开盘大涨超过14%。

                                                           英伟达从 415 伏交流（上）到 800 伏直流（下）的配电架构演进

据了解，英伟达在最新的Vera Rubin GPU平台与 Kyber系统架构中，将首次采用 800VDC供电体系，使单机柜功率从传统的200kW跃升至1MW，为“千兆瓦级AI工厂（Gigawatt AI Factories）”提供能源基础。相较传统54V架构，800VDC让电流降低15倍以上，铜损显著减少，布线更轻、更高效。

根据英伟达发布的白皮书，在未来兆瓦级AI系统中，传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度与更低能耗，就必须采用能够在高电压、高频率下运行的新型功率器件。氮化镓（GaN）因此成为800VDC架构中不可或缺的关键技术，也是此次800VDC架构解决方案的核心。

氮化镓能在超高频率（高达1-10MHz）下保持低损耗运行，整体系统能效提升10–13%，功率密度提升50%以上。这意味着在相同机柜体积内可容纳更多算力，而能耗与散热需求却显著下降。

业内专家认为，随着英伟达800VDC路线图的发布，AI数据中心正从“54V时代”迈向“800V 时代”，这不仅是能效的跨越，更是能源体系的革命。