传三星计划投资百亿美元在美建厂 与台积电正面竞争3nm时代

（原标题：传三星计划投资百亿美元在美建厂 与台积电正面竞争3nm时代）

财联社（上海，编辑 史正丞）讯，周五据媒体援引消息人士报道，三星电子目前正在考虑投资超百亿美元在美国建设一座最先进的芯片制造厂，以争夺更多美国客户的订单。

据悉，三星正在讨论的选址是美国得州奥斯汀，计划建造一座未来能够制造3nm工艺制程芯片的工厂。虽然计划仍处于预备阶段，但眼下的日程表是在年内动工，2022年开始安装设备并于2023年开始生产。

HMC证券高级副总裁Greg Roh对此传言评论称，如果三星真的要实现在2030年成为全球第一大芯片制造商的目标，现在需要大规模的投资才能赶上台积电。显然台积电在亚利桑那州的工厂也会向3nm制程持续取得进展。目前来看能否买到极紫外光刻机将会是芯片厂面临的挑战，眼下包括美光、SK海力士也在求购这款设备。

作为全球最大的记忆芯片制造商，三星正在试图增加盈利前景更佳的逻辑芯片市场份额，高通、英伟达已经成为韩国巨头的客户。目前三星在韩国国内有两座EUV工厂。

据知情人士表示，三星目前已经雇佣了华盛顿特区的游说团体，希望能够获得拜登政府的政策补贴和税收优惠。但即便在拿不到大额优惠的情况下，三星依然会推进在美国建厂的计划。

三星赶超台积电的目标近来也受到一定程度的看衰，尤其是在台积电宣布今年投资创纪录的280亿美元，以确保技术和产能领先地位后。作为对比，三星半导体部门2020年资本支出为260亿美元，其中很大一部分用来支持其占据统治地位的存储业务，而制造存储芯片的经验并不完全与制造先进逻辑芯片相关。