斯达半导拟增发募资不超过35亿元 加码碳化硅功率芯片布局

经济观察网 记者 李靖恒 3月2日晚间，斯达半导(603290.SH)发布了《2021年度非公开发行A股股票预案》公告，拟募集资金不超过35亿元。

斯达半导表示，随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的 工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费，促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据智研咨询数据，2014 年全球功率半导体市场规模仅为227亿美元，2019年增长至382亿美元。

目前，中国是全球最大的功率半导体消费国，智研咨询发布的《2020-2026年中国功率半导体行业市场运作模式及投资前景展望报告》指出，目前中国的功率半导体市场规模占全球市场规模35%左右，是全球最大的功率半导体市场，约为940.8亿元。

“在新基建的产业环境下，5G、新能源汽车、数据中心、工业控制等诸多产业对功率半导体产生了巨大的需求，随着功率半导体市场的持续发展与国产替代进程的加速，功率半导体具有广阔的市场前景。”斯达半导称。

此外，全球新能源汽车市场蓬勃发展也会带动SiC芯片需求快速增长。根据EV-volumes.com的数据，2020年，全球新能源汽车(包括纯电动和插电混动车型)总销量为324 万辆，同比增长43%。EV-volumes.com公司预计，2021年电动汽车的销量将继续增长，将达到460万辆左右。

根据公告信息，本次筹集的资金将用于以下几个项目：高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目（20亿元）、功率半导体模块生产线自动化改造项目（7亿元）、补充流动资金（8亿元）。其中，SiC芯片是指以SiC(碳化硅)材料为基底制作的半导体芯片；功率半导体器件是指以Si(硅)或者SiC(碳化硅)等半导体材料为基底制作的，具有处理高电压，大电流能力的半导体功率器件。

斯达半导称，高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力；而功率半导体模块生产线自动化改造项预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。

数日前，信达证券电子行业分析师方竞团队在研究报告中表示，斯达半导是国内IGBT行业领军企业。（IGBT：绝缘栅双极型晶体管，一种半导体器件），2019该公司年在全球IGBT模块市场排名第8，是唯一进入前10的中国企业，并且公司营收主要来自IGBT模块销售，近年来IGBT模块营收占比均保持在98%以上。

方竞进一步介绍到，斯达半导自2005年成立以来一直专注于IGBT及模块的自主设计研发、生产和销售。公司目前已成为少数实现IGBT大规模生产的国内企业之一，先发优势明显。同时，公司针对细分行业客户对IGBT 模块产品性能、拓扑结构等的不同要求，开发了不同系列的IGBT模块产品，在变频器、新能源汽车及逆变电焊机等细分市场领域形成了一定的竞争优势。

此外，方竞的研究报告还指出，斯达半导前瞻性地布局碳化硅模块，强化了新能源汽车领域布局。碳化硅是第三代化合物半导体材料，与硅基器件相比，碳化硅模块具有损耗更低、体积更小、耐温更高等优势。尤其在电动车领域，由于单个电池容量难进一步提升，为提高续航需尽可能增加电池个数。碳化硅器件的使用可降低功耗，减小电控等部件体积，从而使得电池安排游刃有余。同时，由于碳化硅开关频率更高，在高压充电桩中采用碳化硅器件也可使得充电。

方竞认为：“虽然当前SiC成本仍较高，且技术层面仍有一定挑战。但长期来看新能源汽车领域，碳化硅器件有望逐步替代硅基IGBT。”