晶合集成申请半导体专利，可提高半导体器件性能稳定性_财经频道

（原标题：晶合集成申请半导体专利，可提高半导体器件性能稳定性）

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117133722A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底、第一密封结构、第二密封结构、第一保护层及第二保护层。衬底具有器件区、切割区及位于器件区和切割区之间的过渡区。第一密封结构和第二密封结构分别位于过渡区，且第二密封结构位于第一密封结构远离器件区的一侧。第一保护层覆盖第一密封结构和第二密封结构。第二保护层覆盖第一保护层。其中，第一密封结构和第二密封结构均包括沿背离衬底方向交替层叠的多个金属层和多个支撑层。第二密封结构中金属层的堆叠层数小于第一密封结构中金属层的堆叠层数。第二密封结构上的第二保护层具有应力释放缺口。本申请提供的半导体结构可以减少切割应力的不利影响，提高半导体器件性能稳定性。