三星申请半导体器件专利，提高半导体器件的电性能_财经频道

（原标题：三星申请半导体器件专利，提高半导体器件的电性能）

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件”，公开号CN117133807A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；多个栅极结构，设置在下部图案上以在第二方向上彼此间隔开，每个栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，限定在相邻的栅极结构之间；以及填充源极/漏极凹陷的源极/漏极图案。每个源极/漏极图案可以包括沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第一半导体衬垫、在第一半导体衬垫上并沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第二半导体衬垫、以及在第二半导体衬垫上并填充源极/漏极凹陷的填充半导体膜。第二半导体衬垫可以掺有碳，第一半导体衬垫可以与下部图案和片状图案接触，同时第一半导体衬垫可以包括未碳掺杂区域。该技术能够提高半导体器件的电性能。