三星申请半导体器件专利，提供了一种包括带隙能大于支撑层的材料的带隙能的材料的阻挡层的半导体器件_财经频道

（原标题：三星申请半导体器件专利，提供了一种包括带隙能大于支撑层的材料的带隙能的材料的阻挡层的半导体器件）

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117135916A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个下电极，所述多个下电极设置在所述衬底上；至少一个支撑层，所述至少一个支撑层与所述多个下电极接触并且在与所述衬底的上表面平行的方向上延伸；上电极，所述上电极设置在所述多个下电极和所述至少一个支撑层上；电介质层，所述电介质层位于所述多个下电极与所述上电极之间以及位于所述至少一个支撑层与所述上电极之间；以及阻挡层，所述阻挡层设置在所述至少一个支撑层与所述电介质层之间，并且包括带隙能大于所述至少一个支撑层的材料的带隙能的材料。所述电介质层与所述多个下电极接触并且通过所述阻挡层与所述至少一个支撑层间隔开。