晶合集成申请半导体技术专利，能够改善半导体器件的性能_财经频道

（原标题：晶合集成申请半导体技术专利，能够改善半导体器件的性能）

金融界2023年12月4日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117153865A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；栅介质层，设置在衬底上；栅极，设置在栅介质层上，栅极包括第一栅极结构和第二栅极结构，第二栅极结构设置在栅介质层上，第一栅极结构设置在第二栅极结构上，且第二栅极结构的宽度大于第一栅极结构的宽度；第一侧墙结构，设置在第一栅极结构的两侧，且位于第二栅极结构上；第二侧墙结构，设置在第一侧墙和第二栅极结构的侧壁上；漏极，设置在侧墙结构一侧的衬底内；源极，设置在侧墙结构另一侧的衬底内；轻掺杂区，只设置在栅极靠近源极一侧的衬底内。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，能夜改善半导体器件的性能，并降低生产成本。