事关HBM，三星回应：不是真的

（原标题：事关HBM，三星回应：不是真的）

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三星电子驳斥了有关其计划为 HBM（高带宽内存）引入 MUF（模制底部填充）工艺的报道，称这“不属实”。

13日，路透社援引多位消息人士的话称，“三星电子将使用MUF技术来制造最新的HBM”，并补充道，“这项技术最先被我们的竞争对手SK海力士使用，这对三星来说多少是一个打击”电子产品的骄傲。”报道称。

HBM 垂直堆叠多个 DRAM，并通过 TSV（通过硅电极）将它们连接起来。目前，三星电子一直在采用在DRAM之间插入NCF（非导电粘合膜）并进行热压缩的工艺。

另一方面，SK海力士正在采用MR-MUF（大规模回流成型底部填充）技术，该技术加热并焊接整个HBM，并通过在芯片之间插入液体保护材料来填充间隙。MR-MUF技术被评价为具有高可靠性和生产效率，因为与NCF工艺相比，热量施加均匀。

路透社报道称，为此，三星电子正准备引入MUF工艺。其依据是最近订购了MUF相关设备，并且也在与日本Nagase等材料公司进行洽谈。

路透社称，“根据几位分析师的说法，三星电子的 HBM3（第 4 代 HBM）芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士则确保了约 60-70% 的良率。”“我们计划同时使用 NCF以及芯片中的 MUF 技术。”

但三星电子对此予以反驳，称“这不是真的”。

业界也认为三星电子将MUF技术引入HBM的可能性较低。诚然，三星电子正在追求引入MUF技术，但据了解，其意图是将该技术用于服务器用大容量DRAM，例如256GB（千兆字节），而不是HBM。

此外，三星电子还投入了大量资金来推进 HBM 的 NCF 技术并扩大产能。在这种情况下，有人认为三星电子对于MUF工艺转换进行额外投资的成本负担太大。

HBM，竞争加剧

随着主要存储器半导体公司宣布的下一代高带宽存储器（HBM）生产时间表的临近，这些公司正在加大力度提高良率。

3月12日消息，据业内人士透露，三星电子、SK海力士等主要存储半导体公司正集中精力提高超精细工艺的精度，计划在今年上半年量产下一代HBM HBM3E。年。

三星电子正在与国内外多家半导体设备公司合作，以降低缺陷率，并与他们一起探索工艺改进的多个方向。三星电子使用热压缩非导电薄膜 (TC-NCF) 至关重要，其中优化热量和压力是关键，据报道，正在与设备制造商进行讨论，以提高这一步的准确性。面对SK海力士的竞争，三星电子在全公司范围内集中力量，上个月出人意料地宣布了“Advanced TC-NCF”技术。该技术可以减少 TC-NCF 工艺中必要薄膜的厚度，从而在保持 HBM 高度的同时增加半导体层数。根据市场研究公司TrendForce的数据，三星电子去年在HBM市场的市场份额为38%，落后于SK海力士的53%。

SK海力士还投入大量精力进行研发，以保持在下一代市场的领先地位。与三星电子不同的是，SK 海力士采用了一种称为大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 的工艺，并将研究重点放在改进对该工艺至关重要的液体材料上。一位公司官员解释说：“MR-MUF工艺的良率取决于半导体之间使用的液体材料的特性。到目前为止，我们的主要重点是提高这种材料的质量。”

据了解，HBM行业龙头SK海力士的HBM良率在60%左右。与一般 DRAM 超过 90% 的良率相比，这是较低的。与其他存储器不同，HBM 需要复杂的额外工艺，即在半导体上钻孔并使用硅通孔 (TSV) 垂直堆叠多个半导体，这意味着任何阶段的缺陷都可能需要丢弃其他好的芯片以及有缺陷的芯片。每个步骤的收益率即使略有变化，也会极大地影响整体盈利能力。一位业内人士表示：“随着HBM层数的增加，即使是1-2%的差异也可能导致数千亿韩元的收入差异。”

美光取得英伟达HBM3e 供应资格

在人工智能（AI）和高效能运算（HPC）的影响下，近两年高频宽记忆体(HBM) 产品发展加速，也推动着记忆体厂商的营收成长。作为GPU大厂英伟达HBM 合作伙伴，SK 海力士目前在HBM 市场的处于技术领先的地位，并且大量供应HBM3 高频宽记忆体用于英伟达的各种AI 芯片上。

根据韩国中央日报的报导，与SK 海力士在HBM3 遥遥领先不同，到了HBM3e 情况似乎出现了变化，美光和三星的加入让市场竞争变得越来越激烈。2023 年美光、SK 海力士和三星先后都递交了HBM3e 样品给英伟达，用于下一代AI GPU 的资格测试。这也是英伟达为了保证下一代产品供应来源，规划加入更多的供应商的计画。

在三星、SK 海力士、美光三家供应商中，美光在2023 年7 月，推出了业界首款高频宽超过1.2TB/s、插脚速度超过9.2GB/s、8 层堆叠24GB 容量的HBM3e，而且记忆体本身采用了1β（1-beta） 制程技术来生产制造。随后美光透露，其HBM3e 样品的性能更强，且功耗更低，实际效能超出了预期，也优于竞争对手，所以让客户大吃一惊后，也迅速下了订单购买。美光还准备了12 层堆叠的36GB 容量HBM3e，在给定的堆叠高度下，容量增加了50%。

报导分析，美光之所以率先获得英伟达采购，并将旗下的HBM3e 用于新一代的H200 AI 芯片上，使得美光近期竞争中攻上领先位置，凭借的是制程技术上的优势。目前SK 海力士占据了54% 的HBM 市场，而美光仅为10%。但随着手握英伟达的供应订单的优势，未来形势可能对当前的龙头-SK 海力士造成冲击。

然而，市场预期，当前作为HBM 市场的领头羊的SK 海力士自然也不会坐以待毙。近期已向英伟达递送了新款12 层堆叠HBM3e 样品，以进行产品验证测试。近期，三星的官方消息的宣称发展了同类型的产品，容量为36GB 的12 层堆叠HBM3e。由于下一代HBM4 可能要到在2026 年才问世，所以在此之前，预计HBM 市场竞争将会变得更加激烈。

三星获AMD 验证通过，将急起直追

TrendForce 资深研究副总吴雅婷表示，今年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM3，NVIDIA 新世代含B100 或H200 规格为最新HBM3e 产品。由于AI 需求高涨，英伟达（NVIDIA）及其他品牌GPU 或ASIC 供应紧俏，除了CoWoS 是供应瓶颈，HBM 亦同，主要是HBM 生产周期较DDR5 长，投片到产出与封装完成需两季以上。

吴雅婷表示， 目前NVIDIA现有主攻H100的记忆体解决方案为HBM3，SK海力士是最主要供应商，供应不足应付整体AI市场所需。至2023年底，三星以1Z纳米产品加入NVIDIA供应链，尽管比重仍小，但可视为三星HBM3世代的首要斩获。

三星是AMD长期重要策略供应伙伴，2024年第一季，三星HBM3产品陆续通过AMD MI300系列验证，含8h与12h产品，故自2024年第一季以后，三星HBM3产品会逐渐放量。过去HBM3世代竞争，美光（Micron）始终没有加入，仅两大韩系供应商独撑，且SK海力士HBM市占率最高，三星将数季MI300逐季放量，市占率将急起直追。

2024年起，市场关注焦点即由HBM3转向HBM3e，下半年逐季放量，逐步成为HBM市场主流。TrendForce调查，第一季SK海力士率先通过验证，美光紧追，第一季底递交HBM3e量产产品，以搭配第二季末铺货的NVIDIA H200。三星递交样品时程较另两家稍晚，HBM3e将于第一季底通过验证，第二季开始出货。三星HBM3验证也有突破，且HBM3e验证若无意外也即将完成，意即出货市占今年将与SK海力士拉近差距。

三星HBM 3良率仅为10%？转投SK海力士阵营！

三星电子五位知情人士表示，该公司计划使用竞争对手 SK 海力士 (SK Hynix) 主导的芯片制造技术，这家全球顶级内存芯片制造商正寻求在生产用于驱动人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上。

随着生成式人工智能的日益普及，对高带宽内存（HBM）芯片的需求不断增长。但三星与同行SK海力士和美光科技不同，由于没有与人工智能芯片领导者 Nvidia进行任何交易而引人注目。

三星落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电薄膜（NCF）的芯片制造技术，这会导致一些生产问题，而海力士则改用大规模回流模制底部填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点据分析师和行业观察人士称。

然而，三位直接了解此事的消息人士称，三星最近发布了用于处理 MUF 技术的芯片制造设备的采购订单。

“三星必须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对三星来说有点自负，因为它最终遵循了 SK 海力士首先使用的技术，”一位消息人士称。

几位分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。

最新版本的 HBM 芯片 HBM3 和 HBM3E 需求旺盛。它们与核心微处理器芯片捆绑在一起，帮助处理生成人工智能中的大量数据。

三星还在与材料制造商进行洽谈，其中包括日本长濑一位消息人士称，为了采购 MUF 材料，使用 MUF 的高端芯片的大规模生产最早可能要到明年才能准备就绪，因为三星需要进行更多测试。

三位消息人士还表示，三星计划在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术。

三星表示，其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于其新的HBM3E芯片中。三星在一份声明中表示：“我们正在按计划开展 HBM3E 产品业务。”

英伟达和长濑拒绝置评。

由于信息未公开，所有消息来源均要求匿名。

三星计划使用 MUF 突显了其在 AI 芯片竞争中面临的越来越大的压力，根据研究公司 TrendForce 的数据，由于 AI 相关需求，HBM 芯片市场今年将增长一倍多，达到近 90 亿美元。

非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛使用，以在紧凑的高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于最小化堆叠芯片之间的空间。

但随着层数的增加，制造变得复杂，粘合材料经常会出现一些问题。三星表示，其最新的 HBM3E 芯片有 12 层芯片。芯片制造商一直在寻找替代方案来解决这些弱点。

SK Hynix 领先其他公司成功转向大规模回流模制底部填充技术，成为第一家向 Nvidia 供应 HBM3 芯片的供应商。

KB Securities 分析师 Jeff Kim 表示，SK 海力士今年在 HBM3 和 Nvidia 更先进的 HBM 产品方面的市场份额预计将超过 80%。

美光上个月加入了高带宽内存芯片竞赛，宣布其最新的 HBM3E 芯片将被 Nvidia 采用，为后者的 H200 Tensor 芯片提供动力，该芯片将于第二季度开始发货。

据四位消息人士之一和另一位知情人士透露，三星的 HBM3 系列尚未通过 Nvidia 的供货交易资格。

它在人工智能芯片竞赛中的受挫也引起了投资者的注意，其股价今年下跌了7%，落后于SK海力士和美光，后者分别上涨了17%和14%。

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