薄膜电容器助力SiC和IGBT技术高速推进：永铭电容应用方案

（原标题：薄膜电容器助力SiC和IGBT技术高速推进：永铭电容应用方案）

近年来，光储充和电动汽车（EV）等新能源产业的蓬勃发展，导致了直流支撑（DC-Link）电容需求的急剧增长。简而言之，DC-Link电容在电路中扮演着至关重要的角色，它能够吸收母线端的高脉冲电流，同时平滑母线电压，确保IGBT和SiC MOSFET开关在运作过程中免受高脉冲电流和瞬时电压的不利影响。

随着新能源汽车的母线电压从400V提升至800V，薄膜电容的需求因此显著增加。据数据显示，2022年基于DC-Link薄膜电容的电驱逆变器装机量已达到511.17万套，占电控装机量的88.7%。诸如特斯拉、日本电产等众多领先电控企业的驱动逆变器均采用了DC-Link薄膜电容，其装机量占比高达82.9%，成为电驱市场的主流选择。

研究论文显示，在硅IGBT半桥逆变器中，直流环节通常使用传统电解电容，但会出现电压浪涌，这是由于电解电容的ESR较高。与硅基IGBT方案相比，SiC MOSFET的开关频率更高，因此半桥逆变器直流链路中的电压浪涌幅度更高，有可能导致器件性能下降甚至损坏，并且电解电容器的谐振频率仅为4kHz，不足以吸收SiC MOSFET逆变器的电流纹波。

因此，在可靠性要求更高的电驱逆变器和光伏逆变器等直流应用场合，通常会选择使用薄膜电容，相比铝电解电容器，其性能优势在于耐压更高、ESR更低、无极性、性能更稳定、寿命更长，从而可以实现抗纹波能力更强、更可靠的系统设计。

使用薄膜电容的系统能发挥SiC MOSFET的高频、低损耗优势，减小被动元件体积和重量。Wolfspeed研究显示，10kW硅基IGBT逆变器需22颗铝电解电容，而40kW SiC逆变器仅需8颗薄膜电容，PCB面积也大幅减少。

为应对市场需求，永铭电子推出MDP系列薄膜电容器，采用先进工艺和优质材料，适配SiC MOSFET和硅基IGBT。MDP系列电容特点包括低ESR、高耐压、低漏电流和高温度稳定性。

永铭电子薄膜电容产品优势

永铭电子的薄膜电容器设计采用低ESR理念，降低开关过程中的电压应力和能量损耗，提高系统能效。具备高额定电压，适应高电压环境，确保系统稳定。

MDP系列电容器容量范围1uF-500uF，电压范围500伏至1500伏。具有更低漏电流和更高温度稳定性。通过高品质材料和先进工艺，设计高效散热结构，确保高温下性能稳定，延长使用寿命，为电力电子系统提供可靠支撑。同时，MDP系列电容器体积紧凑，功率密度高，采用创新薄膜制造工艺，提升系统集成度和效率，减小体积和重量，增加设备便携性和灵活性。

永铭电子DC-Link薄膜电容器系列在dv/dt耐受能力上提升30%，使用寿命增长30%，提高SiC/IGBT电路可靠性，带来更好的成本效益，解决价格难题。

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