芯趋势丨碳化硅淘汰赛打响：价格竞争，巨头调整

（原标题：芯趋势丨碳化硅淘汰赛打响：价格竞争，巨头调整）

21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道 

作为伴随新能源汽车产业快速成长起来的新型材料技术，碳化硅（SiC）芯片在近些年来一直处在高速发展区间，即便汽车芯片市场整体面临承压难题，碳化硅都是其中为数不多相对坚挺的细分领域。

但也正因如此，已有越来越多厂商参与市场争夺，导致在2024年，价格竞争、行业内收购整合成为重要趋势。

随着碳化硅市场逐渐迈入8英寸时代，将有更大芯片产能进入市场。同时海外碳化硅芯片巨头也在积极与中国厂商合作以扎根本地，由此，碳化硅市场的竞争战况恐怕将愈发激烈。

价格竞争 

不同于碳化硅行业发展早期的相对高昂成本，随着越来越多新能源汽车采用到碳化硅技术，同时更多碳化硅晶圆产能落地，碳化硅市场正面临新的竞争环境。

CIC灼识咨询执行董事余怡然告诉21世纪经济报道记者，2024年碳化硅晶圆市场经历了显著的价格调整，降价幅度达到近30%。“具体来说，6英寸SiC衬底的价格在2024年中期已经跌至500美元以下，接近中国制造商的生产成本线，而到了第四季度，价格进一步下降至450美元。”

调研机构TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄也对21世纪经济报道记者表示，2024年，6英寸导电型碳化硅衬底降价幅度超过20%，主要归因于产能大量释放和市场竞争加剧。

余怡然分析道，价格下降的原因复杂多样。“首先，全球6英寸SiC片产能的快速释放，加之电动汽车市场需求的暂缓，导致了供过于求现象，这直接对SiC晶圆价格构成了下行压力。其次，中国供应商为了在竞争激烈的市场中抢占更多市场份额，发起了激烈的价格战，这不仅使得市场不稳定，也迫使许多厂商不得不亏本销售以保持竞争力。此外，随着技术提升和规模化效应显现，SiC衬底的生产成本得以降低，这也推动了价格下降。”她指出。

不可忽视的还有整车厂对供应链带来的影响。特斯拉是全球最早采用碳化硅模块上车的新能源整车厂，但此后不久，特斯拉CEO埃隆·马斯克就公开提到，希望一定程度降低对碳化硅含量的采用，就被认为与早前碳化硅应用成本偏高有关。

虽然目前随着产能扩大，碳化硅价格下降，但近年来新能源整车厂在严格控制供应链价格已经是明牌，如此趋势下，碳化硅供应链厂商也势必要有所配合。

此外，海外厂商也在积极寻求在中国市场打开碳化硅的应用机会。2024年全球汽车芯片市场面临持续库存压力，但中国市场是其中的例外。

多名行业观察人士告诉21世纪经济报道记者，由于海外市场对纯电类电动车的销售没有达到预期目标，反而是油电混动类电动车有很快成长，导致海外电动车市场正处在前几年爆发性成长后的震荡沉淀阶段，由此也为海外的整体汽车芯片大盘带来压力。

但海外大厂的业绩则显示，中国是其中唯一带来增量的市场。这成为海外厂商加速与国内厂商联合的背景。意法半导体是其中较快进行部署的厂商，2023年6月其宣布与三安光电在重庆合资建设碳化硅生产工厂，将优先考虑赋能汽车行业应用。

余怡然对记者分析道，意法半导体与三安光电的合作项目规划达产年产能为48万片车规级MOSFET芯片，将成为中国首条8英寸碳化硅衬底和晶圆制造线。合资厂预计2025年第四季度开始生产，2028年全面建成后每周产能为1万片晶圆。

“意法半导体选择中国作为扩张重点，不仅为了更高效地服务中国市场，还看重新能源汽车产业链的高度自主化。”她续称，此次合作整合了意法半导体的技术优势和三安光电的市场资源，旨在共同拓展碳化硅市场，尤其是吸引新能源汽车制造商。这将增强新产线竞争力，但可能对国内其他规模较小、技术较弱的厂商造成市场挤压。

此外，新产线将扩大市场供应，可能加剧价格竞争，推动SiC芯片价格下降。尽管如此，价格下降或许能促进其在新能源汽车等行业的应用。

积极扩产

价格竞争带来的影响已经逐渐体现在部分供应链厂商的业绩中。

碳化硅外延片供应商东莞天域半导体近日在港交所披露的招股书显示，2023年半年度公司实现营收4.24亿元，但到2024年半年度营收为3.61亿元，同比减少14.8%；2024年上半年公司由盈转亏1.41亿元，在2023年同期则为盈利0.21亿元；毛利也从2023年半年度的0.82亿元大幅缩减至2024年半年度的0.44亿元。

公司在招股书中分析，出现财务表现下降的因素包括：碳化硅外延片和衬底市场价格下跌以及国际贸易紧张局势。此外还可能面临持续性影响，如订立有价格或数量承诺的框架销售合约时遇到困难以及扩大产能。

东莞天域方面指出，为此公司将从扩大客户群并提升销量、提升经营效率、提高产品技术能力等方面应对。

但这还只是基于目前市场上产品多是基于4英寸或6英寸晶圆进行量产的前提，随着全球范围内有更多8英寸碳化硅晶圆产能落地，也意味着碳化硅芯片市场将有更大规模的产品涌入。

对于未来可能面临的挑战，东莞天域在招股书中也提到，全球外延片产业正经历产能大幅扩张，加上技术快速进步。公司外延片产品的售价可能会受到产能增加的不利影响，导致外延片产品的售价存在下降趋势。

余怡然对记者分析道，头部厂商包括Wolfspeed、安森美、英飞凌等正在积极扩产8英寸SiC晶圆，例如Wolfspeed计划在美建厂、英飞凌在马来西亚的晶圆厂预计2025年规模化生产，国内厂商天科合达、山东天岳也在增加产能。

“尽管头部厂商扩产，全球汽车半导体市场增速放缓可能使市场需求无法匹配产能增长，存在产能过剩风险。2023年全球SiC供需缺口约30%，但若产能增长速度快于需求，可能面临产能过剩威胁，市场需求和技术发展将是决定产能过剩与否的关键因素。”她进一步分析。

龚瑞骄则对21世纪经济报道记者指出：“对于汽车和高端工业等进入门槛较高的市场，短期内还不会出现过度竞争的情况，因此产能过剩风险较小。”

整合加速 

在碳化硅芯片行业竞争加剧的背景下，产业链整合就成为必然趋势。

记者统计发现，这种整合同时包括业务能力的横向整合和产业链环节的纵向整合，显示出碳化硅领域厂商都在持续扩大能力外延。

例如2024年12月，全面转型碳化硅领域的安森美（Onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元收购后者碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括United Silicon Carbide子公司。此次收购将补充安森美的EliteSiC电源产品组合，以满足AI数据中心电源单元AC-DC对高能效和功率密度的需求。此外，此举将加速安森美为电动汽车电池断路器和固态断路器 (SSCB) 等新业务做好准备。

2024年5月，美蓓亚三美株式会社（MINEBEA MITSUMI Inc.）宣布完成收购日立功率半导体装置株式会社全部股份，并进一步从日立收购日立集团功率器件业务的海外销售业务。

该公司在公开声明中指出，尽管一直在规划和推动IGBT业务的扩张，但仅涉及芯片业务，公司在产品组合中缺乏模块制造技术。一旦完成对日立相关资产和业务的收购，公司将获得封装和模块制造的后端工艺技术和生产能力。这将使公司能够部署从开发到生产的垂直整合功率半导体业务，从而协调现有传统芯片制造能力。

此外，通过技术团队整合，美蓓亚三美株式会社希望释放功率器件业务与现有内部业务间的协同效应，例如使用硅基（Si）功率器件实现接近SiC的性能，并深耕高压SiC功率器件业务等。

不过碳化硅市场也在寻求新的业务增长方向，除了新能源汽车，新型储能、数据中心甚至MR眼镜都有积极采用碳化硅器件的趋势。

美蓓亚三美株式会社方面就提到，碳化硅功率半导体的应用场景正逐渐扩展到如GX（绿色转型包括风能和太阳能等可再生能源应用）、电力和电网、铁路等大型运输设备、数据中心、重离子放射治疗和MRI等医疗保健应用、工业和机械设备等诸多领域。

余怡然对21世纪经济报道记者分析，2024年碳化硅（SiC）行业的收并购活动频繁，其逻辑主要在于，通过并购快速获得新技术和市场份额，加速产品开发和市场渗透，实现从芯片开发到封装和模块生产的垂直整合，并强化头部企业的竞争优势。

“随着碳化硅降价趋势，预计2025年行业兼并整合可能会加剧。原因包括成本压力的增加、市场竞争力的提升需求以及技术发展的需求。价格下降导致利润空间压缩，企业可能通过兼并整合降低成本、提高效率。同时，为了保持市场竞争力和适应技术发展，企业可能会寻求通过收购获取关键技术和客户资源，以保持在市场中的竞争力。”她总结道。