芯导科技(688230.SH)：公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品

（原标题：芯导科技(688230.SH)：公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品）

格隆汇2月10日丨芯导科技(688230.SH)在投资者互动平台表示，近年来随着全球能源结构向低碳化转型加速为功率半导体产业带来巨大机遇，公司聚焦新能源应用领域，集中发力加快发展GaN、SiC、IGBT等新型功率半导体业务。 公司650V GaN HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650V Cascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。 公司SiC产品，包含SiC SBD系列 和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中。 公司IGBT产品，650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程，1200V200A芯片已定型，1700V200A客户认定中，1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。