美光DRAM，终于用了EUV

（原标题：美光DRAM，终于用了EUV）

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3 月 25 日，美光推出了采用全新1γ (1-gamma) 制造工艺制造的 16Gb DDR5 设备，该工艺采用 EUV 光刻技术，这是美光的首创。新 IC 不仅比其前代产品性能更高，而且功耗更低，制造成本也更低。该公司还表示，其 1γ 制造技术（第 6 代 10nm 级节点）最终将用于其他 DRAM 产品。

美光的 1γ 主打产品是该公司的 16Gb (2GB) DDR5 IC，其额定数据传输率为 9200 MT/s，行业标准电压为 1.1V。与其前代产品（采用 1β 制造工艺制造的 16Gb DDR5 IC）相比，新器件功耗降低了 20%，位密度提高了 30%，一旦新芯片的产量达到与 1β 16Gb DRAM 器件相当的水平，这可能意味着生产成本也会相应降低。

虽然美光将其最新的 16Gb DDR5 IC 的速度定为 9200 MT/s，但这一速度等级明显高于最新版本的 DDR5 规范中的任何速度等级。该公司强调，该芯片可以很好地以符合 JEDEC 的速度等级运行，而更高的速度等级将实现一定的未来防护和与下一代 CPU 的兼容性。美光还表示，基于 CUDIMM 或 CXL 的内存模块可以利用高于 JEDEC 的速度。发烧友的 DIMM 也可能将新的 DRAM 用于其 10,000 MT/s 后的模块。

美光目前正在向笔记本电脑和服务器制造商提供基于 1γ 技术制造的 16Gb DDR5 IC 及其基础上的产品（即芯片和模块）样品，并预计它们的认证将在一到两个季度内完成。这意味着我们应该会在 2025 年中期开始在零售产品中看到美光最新的内存设备。该公司预计，台式机、笔记本电脑和服务器的所有类型的内存模块都将采用其新内存芯片。

考虑到美光基于 1γ 的 DRAM 为所有细分市场提供了一系列有价值的品质——台式机的增强性能以及笔记本电脑和服务器的低功耗——我们确实预计该公司最新的 16 Gb DDR5 IC 在上市时会非常受欢迎。

随着时间的推移，美光将使用其 1γ 制造技术来制造其他类型的内存产品，包括 GDDR7、LPDDR5X（高达 9600 MT/s）和数据中心级产品，因此该节点将成为公司的主力。

美光的 1γ 制造工艺是该公司首款采用极紫外光刻 (EUV) 的技术，其他领先的内存制造商多年前就已采用该技术。这项技术已经问世一段时间，并且有望为现有产品线带来显著优势。

美光并未透露新生产节点使用了多少个 EUV 层，但我们可以推测该公司将 EUV 用于关键层，否则这些层将需要使用多重图案化，这会延长生产周期并影响产量。美光确实表示 1γ 将 EUV 与多重图案化 DUV 技术结合使用。此外，美光的 1γ DRAM 工艺技术采用了下一代高 K 金属栅极技术和全新的后端 (BEOL) 电路。

“除了在 1γ 中采用 EUV 之外，我们还推出了下一代高 K 金属栅极 CMOS 和先进的后端工艺，它们共同实现了 9200 MT/s 数据传输率，性能比 1β DRAM 提高了 15% ... 同时功耗比 1β 降低了约 20%”，美光 DRAM 技术开发高级副总裁 Shigeru Shiratake 表示。

目前，美光在日本的晶圆厂生产 1γ DRAM，该公司的第一台 EUV 工具于 2024 年在日本安装。随着该公司 1γ 内存产量的提高，它将在日本和台湾的晶圆厂增加更多 EUV 系统。

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-unveils-ddr5-9200-memory-1g-process-technology-with-euv

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