美光的EUV战略，引发新担忧

（原标题：美光的EUV战略，引发新担忧）

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美光科技最新的 DRAM 原型凸显了它与三星电子和 SK 海力士在芯片制造领域的巨大分歧，这种差异可能会影响未来的行业竞争。

美光选择尽量减少使用极紫外 (EUV) 光刻技术，转而依靠成熟的氩氟浸没 (ArFi) 光刻技术来加速生产。相比之下，三星和 SK 海力士计划扩大对 EUV 层的使用，业内专家表示，此举可能会影响长期产量、生产效率和芯片性能。

据业内人士透露，美光公司在 2 月份推出的 10 纳米级第六代 (D1c) DRAM 中，只在有限的几个步骤中采用了 EUV。美光公司的一位发言人表示：“EUV 技术仍然缺乏完全的稳定性，因此我们只在绝对必要的情况下才使用它。我们认为，在评估了成本和生产力之后，这是正确的时机。”

三星是业内首家采用 EUV 进行内存芯片生产的公司，自 2020 年以来，该公司一直在稳步扩大 EUV 的使用范围。该公司最初将 EUV 应用于第三代 10 纳米 (1z) DRAM 的单层，后来增加了 EUV 层的数量。其即将推出的 D1c DRAM 将具有五层以上的 EUV 层。

SK 海力士采取了更为谨慎的做法。该公司于 2021 年在 DRAM 制造中引入了 EUV，从其第四代 10 纳米 (D1a) DRAM 开始，其中仅使用了一个 EUV 层。SK 海力士现在计划在其下一代 D1c DRAM 中应用五个或更多的 EUV 层，以符合三星的战略。

美光历来避免在 DRAM 生产中使用 EUV，并继续采取保守的做法。其最近交付的 D1c DRAM 原型仅使用一个 EUV 层，严重依赖基于 ArFi 的多重图案化。然而，行业分析师警告称，随着芯片设计变得越来越先进，仅依靠 ArFi 光刻可能会导致成品率下降和生产成本上升，这可能会使美光在获得高性能 DRAM 订单方面处于不利地位。

一位行业专家表示：“目前，用基于 ArFi 的多重图案化技术取代单一 EUV 层是可行的，但随着 EUV 层的数量超过三层，复杂性差距将扩大。”“在大规模生产中，三星和 SK 海力士拥有多年稳定 EUV 工艺的经验，很可能在产量和产量方面占据优势。”

三星拥有超过 30 台 EUV 机器，是三家内存制造商中最多的。在第四代和第五代 10 纳米 DRAM 遭遇挫折后，三星正在对其 EUV 工艺进行调整。该公司专注于改进光刻胶材料、改进光源和增强掩模技术，内部评估显示产量和工艺效率有所进步。

https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/03/10/GZWB6BSEZRCK3LFSZR5CIW62YI/

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