英伟达GB300核心增量环节及相关个股梳理_财经频道

（原标题：英伟达GB300核心增量环节及相关个股梳理）

英伟达将于3月17日-21日在加州圣何塞举行2025GTC大会，预计将展示Blackwell Ultra GB300、CPO交换机、NVL288等最新产品。

摩根士丹利最新研报显示，GB300的硬件调整环节包括：

（1）引入GPU插槽。

（2）计算板回归OAM+UBB结构。

（3）液冷冷板模块将会为每个GPU单独设计。

（4）更高功率的电源模块。

（5）BBU和超级电容的采用。

GB300采用独立冷板设计，每个GPU单独配备，取代GB200的大面积冷板覆盖方案，水冷管线更密集，UQD快接头用量增长。

GB300冷板及UQD模块主要供应商包括：Cooler Master、AVC。

UQD相关：川环科技（UQD通过英伟达RVL认证，主供Cooler Maste）。

3.1 引入GPU插槽设计

采用Socket方式替代传统的贴片焊接（SMT），旨在改善计算板良率问题；初期插槽由FIT供应，未来可能会引入Lotes。

插槽相关：和林微纳（socket连接器）、淳中科技（检测模块）。

3.2 回归UBB+OAM设计方案

GB200中，1CPU+2GPU均集成在同一块HDI上；GB300中，CPU直接贴装在UBB上，GPU通过Socket接到OAM，再通过铜线连接。

OAM方面，2CPU+4GPU方案使用高多层贯通板，1CPU+4GPU方案使用HDI：

（1）HDI板供应商：联能、沪电股份、胜宏科技。

（2）高多层板供应商：景旺电子、方正科技。

（3）混压PTFE高多层板，上游PTFE材料有望受益：罗杰斯、国能新材、生益科技。

4.1 HVDC供电

英伟达Rubin架构或采用高压直流供电方案，降低整体能耗。

HVDC相关：麦格米特（与台达联合推出800V HVDC方案）、禾望电气（维谛技术HVDC核心分包商）、中恒电气（HVDC国内龙头）。

4.2 DrMOS芯片

DrMOS是一种整合了驱动器IC、MOSFET的电源芯片。

DrMOS与控制器组成的电压调节模块VRM，将12V直流电压降为 1.0V/0.8V供GPU使用。

GB200采用300颗90ADrMOS；GB300方案改为60ADrMOS，单位成本降低，用量则提升至500+颗。

DrMOS相关：杰华特、晶丰明源。

由于GB200在应用过程中出现电压不稳定情形，为了对电源电压进行稳压，GB300将引入新储能托盘。

储能托盘包括BBU（电池备份单元）、超级电容，可在紧急状况下分别提供秒级、毫秒级响应。

（1）BBU相关：蔚蓝锂芯（BBU电芯供货AES-KY、顺达，送样台达、光宝）。

（2）超级电容相关：江海股份（收购日本ACT布局超级电容）。

GB300在CPU内存上首次配备LPCAMM，替代了GB200中的16颗 LPDDR5X，提升了内存带宽能力。

LPCAMM具可拆卸特点，允许用户根据需求灵活配置内存容量和类型。

相比LPDDR5X，LPCAMM需配合使用SPD和PMIC芯片，带来DDRSPD 与PMIC增量需求。

LPCAMM相关：澜起科技（LPCAMM）、聚辰股份（SPD供应商）。

$胜宏科技(SZ300476)$ $麦格米特(SZ002851)$ $国脉科技(SZ002093)$