存储大厂，疯狂扩产HBM

（原标题：存储大厂，疯狂扩产HBM）

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由于高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士决定将今年的计划资本支出提高 30%。

消息人士称，该芯片制造商最初计划今年斥资 22 万亿韩元扩建其设施，但这一数字已升至 29 万亿韩元。

该决定最近已最终确定，SK海力士还向供应商发出备忘录，要求其在10月份之前将设备交付至忠州的M15X工厂，比最初计划提前了两个月。

这家韩国公司计划在 M15X 生产其最新的 DRAM。该工厂生产的 DRAM 大部分为 1b DRAM，用作 HBM3E 的核心芯片。

这些举措均是为了响应客户要求 SK Hynix 更快地提供更多 HBM 芯片的号召。

该公司的主要客户是英伟达 (Nvidia)，后者正在其 AI 加速器中使用 HBM。这家 GPU 巨头要求 SK 海力士 (SK Hynix) 提前交付 HBM。SK 海力士还将从今年开始向博通 (Broadcom) 供应 HBM。

SK海力士此前曾表示，计划只投资那些已经确保盈利的产品。

该公司正在将其 M10 晶圆厂的部分产能（主要生产传统节点产品）转换为 HBM 工艺。SK 海力士也拥有图像传感器业务，其员工已转而从事 AI 内存业务。

该芯片制造商的供应商希望供应 SK 海力士所需的尽可能多的设备，但缺乏产能——这是一个快乐的负担。

据Counterpoint Research称，今年第一季度，SK海力士以36%的市场份额成为DRAM最大的供应商，首次超过三星的34%的市场份额。

SK海力士上个月表示，其今年的HBM产能已经全部售罄，并已向客户提供HBM4 12H的样品。

HBM 助力 SK 海力士夺冠

DRAM 市场份额 40 年来首次超越三星，主要得益于 SK 海力士在高带宽内存 (HBM) 市场的主导地位。三星未能跟上人工智能时代的步伐，被认为是其失去头把交椅的重要因素。

据ZDNet Korea等韩国媒体援引Counterpoint Research的数据称，2025年第一季度，三星在全球DRAM市场的份额约为34%，SK海力士的份额约为36%，三星失去了DRAM老大的地位。美光则以25%左右的市场份额位居第三。

从 2024 年 3 月开始，SK 海力士开始向 Nvidia 供应其第五代 HBM3E，而三星直到最近才传出有关出货的积极消息。

过去，三星凭借“超差距技术”加上规模化生产能力，在内存领域占据主导地位，除非经济下行迫使减产，否则三星的DRAM市场份额很少跌破40%。

然而，进入2024年，其弱势愈发明显，包括HBM在内的AI半导体，由于技术竞争力不足，不断遭遇挑战，市占率下滑，让SK海力士抢占DRAM王位。

韩国业界普遍认为，三星短期内或难以重夺龙头地位，能否成功捍卫地位，将取决于其能否在HBM领域取得显著成果。

Counterpoint Research进一步预测，2025年第二季度DRAM市场份额的排名可能与第一季度相似。

美光积极推进 HBM 计划

美光科技长期以来一直是全球内存芯片市场的第三大参与者，仅次于三星电子和 SK 海力士，目前该公司正在调动其全部组织能力，挑战这两家韩国芯片制造商，争夺高带宽内存市场的主导地位。

据业内人士周日透露，这家美国芯片制造商已通过英伟达第五代 HBM3E 产品的质量验证流程。据报道，美光公司已开始量产这些芯片，用于英伟达的下一代 AI 加速器 Blackwell Ultra。

美光公司上个月在财报电话会议上宣布，已开始量产 12 层 HBM3E 芯片，并致力于提高良率和产能。该公司补充称，今年下半年 HBM 出货量的大部分将由 12 层版本组成。

这一里程碑使得美光成为继 SK 海力士之后第二家向 Nvidia 提供 12 层 HBM3E 芯片的供应商，而三星仍在对同一产品进行资格测试。

美光公司仍然是 HBM 市场上规模最小的参与者，但通过渗透 Nvidia 之前的独家供应链，该公司的影响力预计将大幅增长。

根据市场追踪机构 TrendForce 的数据，到 2024 年，SK 海力士将占据全球 HBM 市场 52.5% 的份额，其次是三星，占 42.4%，美光仅占 5.1%。

DRAM 市场份额的变化已初现端倪。据 Counterpoint Research 的数据，SK 海力士在第一季度首次超越三星，占据了全球 DRAM 市场 36% 的份额，这得益于 HBM 的强劲销售。紧随其后的是三星，占比 34%，而美光则占比 25%。

美光与三星之间的差距大幅缩小，从去年第四季度的 16.9 个百分点缩小到今年第一季度的 9 个百分点——这主要归因于美光向包括 Nvidia 在内的主要客户不断增长的 8 层 HBM3E 产品出货量。

美光科技已宣布其雄心勃勃的目标，即今年将其HBM市场份额提升至20%左右。该公司正在提升产能，将新收购的友达光电位于台湾的两家工厂改造成可生产HBM的DRAM工厂。预计这些工厂将于今年内投入运营。

此外，美光公司宣布投资 70 亿美元在新加坡建造一座新的 HBM 晶圆厂，计划明年投入运营。该公司在爱达荷州和纽约州的扩建工作也在进行中，其正在建设中的日本广岛工厂（原计划于 2027 年投入使用）预计将提前一年投入使用，其极紫外 (EUV) 设备最早将于 6 月投入使用。

美光公司也在积极采购设备并招募人才。据报道，仅在第一季度，该公司就从韩国韩美半导体公司获得了比2024年全年更多的热压键合机（HBM生产所必需的）。

韩国半导体人才的招募力度也在加大。据称，美光公司正在积极为其日本和台湾业务招募工程师。业内消息人士指出，如此积极地在韩国招募人才，对这家美国公司而言实属罕见。

一位不愿透露姓名的业内人士表示：“美光公司迄今为止在HBM市场的份额有限，很大程度上是因为产能不足。但随着美光公司近期的积极扩张，我们可能会从今年开始看到市场格局发生重大变化。”

与此同时，SK海力士正在加速建设其新的HBM工厂——位于忠清北道清州市的M15X工厂，并已开始加强其员工队伍。预计EUV设备也将很快在那里安装。

行业观察人士正在关注三星在今年下半年可能出现的反弹。据报道，这家科技巨头正与英伟达合作对其 HBM3E 进行最后的质量测试，一旦获得认证，就可能开始增加出货量。

https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=5226

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