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台积电先进工艺,限制赴美?

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(原标题:台积电先进工艺,限制赴美?)

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来 源:内容来自联合报 ,谢谢。

据台媒报道,台湾当局立已三读通过“产业创新条例修正案”,为避免关键技术外流,新规定投资于特定国家或地区、特定产业或技术或达“一定金额”以上须事前申请,经济部将配合修正子法,据了解,一定金额拟由目前十五亿元提高至卅亿元,朝宽松方向松绑;全案仍待协商。

此外,针对台积电宣布扩大赴美投资一千亿美元,外界担忧是否技术外流,行政院长卓荣泰表示将适用“N-1”。依目前规定,一般对外投资,半导体并无明文要“N-1”,但三读通过产创条例第廿二条,已明订若“影响安全”、或“对经济发展不利影响”,可不予核准对外投资。官员表示,可藉由此条文做为台积电赴美审查依据,落实“N-1”。也就是说,将藉由第廿二条要求台积电赴美投资落实“N-1”。

官员表示,根据新法,未来海外投资达“一定金额”以上、或是投资特定国家及地区、特定产业或技术,上述任何一项都要先申请,经过审查后才能放行。产创条例廿二条子法“公司海外投资处理办法”,目前仅规定公司从事海外投资之金额逾台币十五亿元者,应于事前申请。未来,子法将修正一定金额以上,并增订特定国家及地区、特定产业及技术等。

据了解,经济部初步构想是提高至台币卅亿元。据分析,当初明定十五亿元审查门槛,是依据央行规定法人每年结汇上限五千万美元而订定,而今央行已经提高至一亿美元,经济部拟参考央行结汇规定,修正“一定金额”以上为台币卅亿元,这对产业界来说将更宽松。

至于特定国家及地区,经济部规划是指遭联合国制裁的国家或地区,例如参照战略性高科技货品输出管制地区,主要是国际间管制战略性高科技货品出口国家,包括伊朗、伊拉克、北韩、苏丹、叙利亚、双俄等。

针对特定产业和技术条件,经济部初步想法,拟以国科会公布的国家核心关键技术为参考标准,截至目前,国科会公告过两波共卅二项国家核心关键技术,包括十四纳米以下制程的IC制造技术及其关键气体、化学品及设备、以及“毫米波氮化镓(GaN)功率放大器单晶微波集成电路之芯片设计技术”、“高频功率放大器之氮化镓半导体制造技术”等。

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