集成80个HBM 4，台积电封装：疯狂炫技

（原标题：集成80个HBM 4，台积电封装：疯狂炫技）

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来源：内容编译自zdnet。

台湾晶圆代工厂台积电（TSMC）因其尖端封装技术的进步而备受瞩目，该技术瞄准了下一代AI半导体市场。据悉，为了顺应AI半导体向更高性能和更大面积发展的趋势，台积电已设计出一款高达80 HBM4（第六代高带宽存储器）的产品。

据业界消息人士12日透露，台积电上月末在美国德克萨斯州举行的“ECTC 2025（电子元件技术会议）”上公布了其用于超大型AI半导体的“晶圆系统（SoW-X）”的具体结构。

SoW-X是台积电计划于2027年量产的新一代封装技术，预计将应用于GPU、CPU等高性能系统半导体，以及整合HBM的AI半导体。

SoW-X的关键在于直接连接晶圆上的存储器和系统半导体，而无需使用现有封装工艺中使用的基板（PCB）或硅中介层（插入芯片和基板之间的薄膜）。

各个芯片之间的连接，是通过在芯片底部形成的精细铜重分布层（RDL）来实现的。此时，RDL延伸到了芯片外部，台积电称之为InFO（Integrated Fan-Out）。

由于SoW-X利用了整片晶圆，因此可以生产超大尺寸的AI半导体。根据台积电公布的数据，SoW-X集成了多达16个高性能计算芯片和80个HBM4模块。这使得总内存容量达到3.75 TB（兆兆字节），带宽达到160 TB/s。

此外，与使用相同数量计算芯片的现有AI半导体集群相比，SoW-X可降低17％的功耗，并提高46％的性能。

台积电解释说：“由于每个芯片之间具有出色的连接性和低功耗，SoW-X 的每瓦（W）整体性能比现有的 AI 半导体集群提高了约 1.7 倍。” 该公司补充道：“通过集成更多的系统半导体和 HBM，系统功率效率得到提高，并且可以消除现有基板连接的困难。”

台积电评价SoW-X是超越业界标准的创新技术平台，并宣布将瞄准下一代高性能计算和AI产业。

不过，也有人指出，SoW-X 技术短期内不会对 AI 内存市场产生重大影响。这是因为，尽管 HBM 负载高达 80%，但目前对超大容量 AI 半导体的需求有限。

事实上，SoW-X 的前身 SoW 于 2020 年推出，目前仅有少数客户采用其进行量产，其中包括特斯拉和 Cerebras。

一位半导体业内人士表示：“与特斯拉超级计算‘Dojo’专用的‘D1’芯片一样，SoW-X 作为一项完全定制芯片技术，适合利基市场。由于涉及的芯片数量众多，技术难度极高，很难立即取代流行的 AI 半导体封装技术。”

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250612090124

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