DRAM，三个方向

（原标题：DRAM，三个方向）

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受关税担忧影响，内存市场规模有望在 2025 年连续第二次创下 2000 亿美元纪录

2024年伊始，数据中心AI训练工作负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。这标志着行业从2022-2023年严重的周期性低迷中强劲反弹，此前的低迷曾引发DRAM和NAND行业历史性的运营亏损。AI驱动的需求引发了整个存储器行业的爆炸式增长，并推动高带宽存储器（HBM）占据主导地位，远远超过了整体DRAM市场。预计2024年至2030年间，全球HBM收入将以惊人的33%的复合年增长率增长，到2030年，其在DRAM市场的份额将达到前所未有的50%。

相比之下，NAND 行业持续面临逆风，受消费需求弱于预期以及整个供应链库存水平上升的拖累。为了应对这些压力，领先的供应商已实施积极的供应侧调整，包括降低晶圆厂利用率和多次减产，以期恢复市场平衡，并为更可持续的复苏奠定基础。

与此同时，NOR 闪存市场在 2024 年也经历了健康反弹（同比增长约 15%），这得益于出货量增长和价格环境改善，尤其是在消费领域。

随着顶级内存供应商加倍投入尖端技术，中国竞相主导内存生产

为了应对预计2025年将出现的缺货局面，SK海力士、三星和美光都在积极提升良率并扩大生产规模，高容量内存 (HBM) 市场竞争日益激烈。与此同时，中国正在加大内存制造的本土化力度，缩小与全球领先企业的技术差距。这一战略举措现已延伸至个人电脑和消费电子领域，进一步加剧了全球内存供需格局的压力。

CMOS键合、新单元设计和3D架构将重新定义超越平面缩放的内存创新

在众多先进封装方法中，CMOS键合已成为实现更高密度、更高性能存储器件的最有前景的解决方案之一。在3D NAND领域，长江存储凭借其Xtacking™架构率先实现了晶圆间混合键合，铠侠(Kioxia)和闪迪(SanDisk)也在其218层CMOS键合阵列(CBA)设计中紧随其后。三星和SK海力士预计将在即将到来的4xx层节点中采用类似方法，据报道三星已获得长江存储的IP授权。展望未来，未来的3D NAND器件可能需要键合三个不同的晶圆（逻辑芯片+双存储阵列），以实现超过500层的扩展。

在DRAM领域，预计平面设计将通过0c/0d节点（2033-2034年）不断发展，这得益于持续的架构和工艺创新。目前业界标准的6F2 DRAM单元预计将最终被基于CMOS键合布局中垂直晶体管（VT）的4F2单元架构所取代。在此之后，人们普遍认为向3D DRAM架构的过渡是不可避免的。截至2025年，所有主要的DRAM供应商都在积极探索多种3D集成途径。领先的概念包括带有水平电容器的1T-1C单元，以及无电容器结构，例如增益单元（2T0C）和基于浮体的1T DRAM。与此同时，包括应用材料公司、泛林集团和东京电子在内的半导体设备领导者正在加大对先进工具解决方案的投资，以应对3D DRAM制造的独特工艺挑战。

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