投资2000亿美元建晶圆厂，美光披露全部细节

（原标题：投资2000亿美元建晶圆厂，美光披露全部细节）

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来源：内容编译自tomshardware。

美光公司本月宣布了新的美国扩张战略， 将投资计划扩大至 1.5 亿美元，计划在弗吉尼亚州建造一座 HBM 封装工厂，并投资约 500 亿美元用于研发。美光公司本月透露，该公司多年来在美国的首座新晶圆厂将于 2027 年下半年投入运营。

继2022年8月《芯片与科学法案》颁布后，美光科技公布了重大计划，将在爱达荷州和纽约州投资超过1150亿美元建设新晶圆厂，目标是未来十年在美国生产40%的DRAM产品。根据新计划，美光科技计划在美国政府的支持下，在未来20多年内投资2000亿美元用于美国的内存生产和研发。

其中包括1500亿美元用于制造，500亿美元用于研发，目标是创造约9万个直接和间接就业岗位。新计划设想在爱达荷州建设两座尖端的DRAM晶圆厂，在纽约州建设一座包含四座晶圆厂的工厂，并在弗吉尼亚州建设一座HBM封装工厂。让我们仔细看看美光科技的这些计划。

2000亿美元的计划

最初计划的第一部分是在爱达荷州博伊西附近建造全球规模最大、最先进的 DRAM 生产设施之一，即现在的 Fab ID1。一旦生产设备全部配备完毕，ID1 的洁净室面积将达到 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米）。这大约是格芯 Fab 8 洁净室容量的两倍，与竞争对手三星和 SK 海力士在韩国运营的大型晶圆厂相当。

美光公司本周宣布，其位于爱达荷州的首座新晶圆厂（ID1）于2025年6月达到关键的建设里程碑，预计将于2027年下半年开始产出晶圆，随后将进行客户资格认证。位于爱达荷州的第二座晶圆厂（ID2）将建在ID1附近，受益于共享基础设施和研发中心共址。美光公司预计ID2将在纽约晶圆厂之前投产，但该公司并未透露具体时间。

然而，尽管美光公司在爱达荷州的新工厂破土动工，ID1 预计将在几年后投入运营，但该公司在纽约州克莱附近开工建设仍举步维艰。美光公司计划在完成联邦和州环境评估后，于 2025 年底开始其纽约工厂的建设工作。美光公司的纽约计划比爱达荷州的计划更加雄心勃勃，因为它涉及四个工厂阶段，洁净室面积约为 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米）。虽然尚未公布该工厂的具体投产时间表，但可以肯定的是，该工厂是美光公司长期战略努力的一部分，旨在建立强大的国内制造基地，以满足商业和国家计算需求。

除了新建晶圆厂外，美光公司还将扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。目前，该工厂生产用于汽车、航空航天、国防和工业应用的内存芯片。升级后，该工厂将获得产能以及先进的封装能力，可在美国组装HBM内存堆栈。不过，美光公司只有在其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂提高DRAM晶圆产量后，才会在其弗吉尼亚工厂增加HBM产能。尽管如此，预计美光公司将在美国生产HBM5或HBM6。

美光公司首席执行官兼董事长桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示：“作为这项 2000 亿美元投资计划的一部分，美光公司计划在美国业务建立足够的 DRAM 晶圆规模后，将先进的封装能力引入美国，以支持我们长期的 HBM 增长计划。”

“我们在爱达荷州的第一家晶圆厂 ID1 于六月实现了又一个重要的建设里程碑。我们预计 ID1 将于 2027 年下半年开始产出首批 DRAM 晶圆，随后将进行客户资格审查。爱达荷州的第二家晶圆厂 ID2 将受益于 ID1 的规模化生产经济效益，并结合研发共址优势，实现更高的效率和更快的上市时间。为了满足预期需求，ID2 将先于第一家纽约晶圆厂投产。我们预计将于今年晚些时候在纽约州完成州和联邦政府的环境评估后，开始在纽约州进行土地准备工作。”他总结道。

未知数

尽管美光公司明确表示计划在美国投资约 1500 亿美元用于其在美国的制造能力建设，但该公司仅披露了即将竣工的 Fab ID1 工厂的竣工时间表，以及第一家纽约工厂的奠基工作。美光公司并未提及其他项目的时间表，只是表示计划在未来 20 年或更长时间内，向其美国业务投资 1500 亿美元。

但美光公司公告中最大的未知数或许是其 500 亿美元的研发项目。2022 年至 2024 年，该公司将其收入的 10% 至 20% 用于研发（从 31 亿美元增至 34.3 亿美元）。去年，该公司在研发上投资了 34.3 亿美元（占收入的 14%），因此 500 亿美元是美光公司约 14 年的研发预算。然而，该公司不仅在美国开展研发业务，还在日本、台湾和新加坡开展研发业务。因此，目前尚不清楚 500 亿美元是否意味着以牺牲其他地点为代价增加在美国的研发业务，还是在未来 20 多年内在常规支出（每年不到 25 亿美元）的基础上在美国额外投入 500 亿美元用于研发，这将是一项重大的补充。

梅赫罗特拉表示：“美光在美国的内存制造和研发计划彰显了我们致力于推动创新和加强国内半导体产业的承诺。这项约2000亿美元的投资将巩固美国的技术领先地位，在整个半导体生态系统中创造数以万计的美国就业岗位，并确保国内半导体供应——这对经济和国家安全至关重要。”

美光公司预计其所有美国项目都将符合先进制造业投资信贷 (AMIC) 的资格，并已获得地方、州和联邦政府的支持。其中包括为爱达荷州的两家晶圆厂、纽约州的两家晶圆厂以及弗吉尼亚州的工厂升级提供高达 64 亿美元的《芯片法案》资金。

总而言之

美光公司计划在未来20多年内斥资约1500亿美元在美国建造六座DRAM晶圆厂：两座位于爱达荷州博伊西附近，四座位于纽约州克莱附近。此外，该公司还计划同期在美国投资500亿美元用于研发。

美光公司将继续在美国以外运营和扩建其 DRAM 晶圆厂，因此该公司大部分易失性存储器仍可能在日本、新加坡和台湾等国家/地区生产，这并不奇怪。

值得注意的是，美光公司目前似乎没有将NAND存储器生产迁往美国的计划，或许是因为它希望开发一种将DRAM的性能与NAND的非易失性相结合的存储级存储器技术，并在美国生产此类设备。然而，由于这种存储器在相当长的一段时间内不会取代NAND，因此闪存在未来许多年仍将得到广泛应用。

由于美光公司的 DRAM 和 NAND 晶圆厂位于美国境外，因此，即使其在美国投资 1500 亿美元建设产能的宏伟计划完成后，该公司最大份额的生产似乎也将在美国境外。

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-details-new-u-s-fab-projects-idaho-fab-1-comes-online-in-2h-2027-new-york-fabs-come-later-hbm-assembly-in-the-u-s

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