美光宣布：终止移动NAND开发

（原标题：美光宣布：终止移动NAND开发）

针对“美光近日中国区裁员”一事，美光正式回应CFM闪存市场：

鉴于移动 NAND 产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他 NAND 机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发，包括终止UFS5的开发。

美光表示，此项决策仅影响全球移动 NAND 产品的开发工作，美光将继续开发并支持其他 NAND 解决方案，如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。

美光还将继续在全球范围内开发和支持移动 DRAM 市场，并提供业界领先的 DRAM 产品组合。

近年来，随着大型科技公司加大对人工智能数据中心的投资，美光等半导体制造商的高带宽内存 (HBM) 芯片因其强大的数据处理能力而订单激增。

该公司目前预计季度营收为 112 亿美元，上下浮动 1 亿美元，而此前预测为 107 亿美元，上下浮动 3 亿美元。

美光公司还将第四季度调整后毛利率预期上调至 44.5%，上下浮动 0.5%，而此前预期为 42%，上下浮动 1%。

该公司表示，修改后的预测反映了定价的改善，特别是对于动态随机存取存储器或 DRAM 产品。

美光公司首席商务官苏米特·萨达纳 (Sumit Sadana) 周一在一次行业会议上表示：“我们关注全球所有不同的终端市场，价格趋势一直很强劲，我们在提高价格方面取得了巨大成功。”

eMarketer 分析师 Jacob Bourne 表示，HBM 生产的供应限制和强劲的人工智能需求使得美光公司能够为其产品设定更高的价格，这代表着历史上内存芯片制造商不得不接受更薄利润率的转变。

今年 6 月，美光公司表示将把在美国的投资增加 300 亿美元，总额达到 2000 亿美元。