(原标题:台积电买了30台EUV光刻机)
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来 源: 内容来自工商时报
较新的 2 纳米制程可以继续利用台积电现有的 EUV 光刻机进行量产,并提高良率。但随着这家台湾半导体巨头向 1.4 纳米和 1 纳米(也称为 A14 和 A10)等 2 纳米以下节点迈进,它将面临制造方面的障碍。现在,通过购买 ASML 先进的高数值孔径 EUV 光刻机可以轻松解决这个问题,但一份新报告指出,台积电将不再购买 ASML 光刻机,而是转向光掩模薄膜。
2纳米晶圆预计将于2025年底全面投产,之后台积电将最终过渡到1.4纳米节点。该公司已为 迈向先进制程奠定了基础,预计将于2028年左右开始量产。台积电初期投资高达1.5万亿新台币(约合490亿美元),目前正以闪电般的速度推进,在新竹工厂启动1.4纳米制程的研发,并购置了30台EUV光刻机。
然而,台积电拒绝采取的一项举措是购买ASML高数值孔径EUV光刻机,单台售价4亿美元。然而,这台设备将确保以更高的良率可靠地生产1.4纳米和1纳米晶圆。该公司可能认为,这台设备的价值与其实际价值不符,因此,据Dan Nystedt和《商业时报》报道,台积电正在转向光掩模防护膜。亚2纳米工艺必须使用防护膜,以防止灰尘和其他颗粒污染工艺。
同样,这是一个代价高昂的举措,并且伴随着诸多复杂因素。例如,使用标准 EUV 机器生产 1.4nm 和 1nm 晶圆时,需要更多曝光,这意味着需要频繁使用光掩模才能获得成功,这可能会影响良率。在此阶段,必须使用防护膜,以防止上述灰尘颗粒和污染物进入晶圆制造阶段。
台积电可能会坚持这种做法,因为它认为,相比于每台高数值孔径 EUV 光刻机 4 亿美元的投入,这是一种值得的替代方案。高数值孔径 EUV 光刻机的另一个缺点是,ASML 每年只能生产 5 到 6 台,而台积电据称将购买 30 台标准 EUV 光刻机,以满足包括苹果在内的众多客户日益增长的需求,因此,花费巨额资金购买数量有限的光刻机,对于其长期目标而言,无疑是徒劳的。
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