驰拓科技STT-MRAM产品通过AEC-Q100 Grade1车规认证

（原标题：驰拓科技STT-MRAM产品通过AEC-Q100 Grade1车规认证）

量产闪存（eFlash）技术在28nm节点触达极限，磁性随机存储器（MRAM）作为一种新型存储器技术，在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用。

半导体头部代工厂如台积电（TSMC）、三星（Samsung）、格罗方德（Globalfoundries）等推出eMRAM IP早期服务于物联网、可穿戴及人工智能（AI）等领域客户，如今则已开始服务多家高可靠工业级和车规级MCU客户。其中典型代表瑞萨（Renasas）推出了基于22nm MRAM平台的RA8系列MCU，恩智浦（NXP）推出的S32K5系列MCU则出自16nm MRAM工艺平台。

中国MRAM设计与制造领军企业浙江驰拓科技有限公司（Hikstor Technology）在MRAM工艺制造、嵌入式eMRAM IP和独立式MRAM设计方面核心指标已与国际头部MRAM厂商比肩，在产品和市场方面也取得了诸多重要进展。

近日，驰拓科技独立式MRAM系列产品通过中国权威车规认证机构的检测，正式完成AEC-Q100 Grade1车规认证，其中典型的产品为4Mb MRAM产品。目前驰拓科技推出了多款独立式MRAM产品，为客户提供Kb~64Mb多种容量、SPI/IIC/ASRAM多种接口产品以供选择。其相关产品已在工业自动化、电力、计量等行业头部企业获得应用，随着AI人工智能赋能工业自动化等各个行业，MRAM在边缘计算等场景的应用潜力将进一步释放。

在嵌入式领域，驰拓科技推出的基于90nm、40nm及28nm平台的多款嵌入式MRAM IP，可应用于工控、低功耗SOC、汽车电子、身份认证、智能穿戴等多种场景，具备非易失、百万次擦写次数、掉电数据快速保存（无需外接电池或电容）、-40~125℃宽温区、125℃ 20年数据保持等优异可靠性。驰拓科技可承接MRAM器件、MRAM IP的定制需求，面向非易失缓存应用场景提供优异性能的器件和产品。

关于浙江驰拓科技有限公司

浙江驰拓科技有限公司，建有12英寸MRAM量产中试线，是国内第一家实现MRAM量产的企业。公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列化产品，并可提供90/55/40/28nm等多个工艺节点下的芯片定制、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务，是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业。

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