下一代DRAM，三星大幅扩产

（原标题：下一代DRAM，三星大幅扩产）

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来 源 ： 内容编译自etnews 。

三星电子全面启动下一代DRAM 扩产计划，韩媒《ET News》报导，三星预计在明年底前将10 纳米级第六代DRAM（1c DRAM）月产能扩大至20 万片，远高于目前既有规模。

根据规划，三星将在今年第4 季先达到月产6 万片，明年第2 季再新增8 万片，并于明年第4 季进一步扩增6 万片，整体月产能达到20 万片。相关时程以设备完成建置为基准，目标是于各阶段具备立即量产条件。知情人士指出：「三星将在明年底前持续强化1c DRAM 的供给能力，意在提前卡位下一代市场。」

1c DRAM 做为最新世代产品，线宽低于11 奈米，并搭载多层EUV 制程，属于三星近年主攻的高阶记忆体。此次扩充让1c DRAM 产能单独达到三星整体DRAM 月产能（65～70 万片）约三分之一的规模，甚至超越三星2022 年半导体景气高峰期所新增的13 万片扩建量。业界推估，三星将透过既有产线制程转换，加上平泽P4 新厂投资，完成上述扩产。

由于AI 推升DRAM 需求全面走强，不仅HBM 供应吃紧，连一般DRAM 也呈现缺货，甚至出现「提前下单尚未生产的货」的抢料情况。三星成功开发1c DRAM 后，因此决定加大投入，以具竞争力的产品组合在下一波DRAM 周期中抢占定价权。

近期三星宣布未来五年将投入4,500 兆韩元于先进制程与产能建置，强调AI 时代已大幅推升记忆体中长期需求，需提前布局产线以因应市场变化。外界也关注，随着1c DRAM 量产规模扩大，三星是否能在下一轮需求周期中重新提升DRAM 市场占比，缩小与SK 海力士之间的差距。

三星DRAM，重返第一

三星电子在今年第三季度重夺全球DRAM市场销售第一的宝座。这主要得益于高带宽内存（HBM）出货量的增长以及通用DRAM产品价格的上涨，从而带动了创纪录的销售增长。

据市场研究公司ChinaFlashMarket (CFM) 11月19日发布的数据显示，三星电子第三季度DRAM销售额环比增长29.6%，达到139.42亿美元。该公司市场份额达到34.8%，重回市场第一的位置。今年上半年，由于HBM市场暂时陷入困境，三星电子一度失去了市场第一的宝座。下半年，该公司业务重回正轨，呈现复苏态势。

同期，SK海力士的销售额为137.9亿美元（约合20.2万亿韩元），以34.4%的市场份额位居第二。三星电子与SK海力士的市场份额差距仅为0.4个百分点，表明市场对领先地位的竞争依然激烈。排名第三的美光科技的销售额为89.84亿美元（约合13.16万亿韩元），市场份额为22.4%。

CFM指出，三星电子扩大HBM供应量以及通用DRAM价格坚挺是推动性能反弹的关键因素。该公司第三季度HBM位单元出货量较上一季度激增85%。这主要归功于向NVIDIA开始交付第五代HBM3E。人工智能数据中心对内存需求的激增导致PC和智能手机等消费级IT设备对DRAM的供应短缺，推高了价格。

自数据统计开始以来，整体内存市场规模也创下新高。第三季度全球DRAM市场总销售额达到400.37亿美元（约合58.6万亿韩元），环比增长24.7%。与去年同期相比，增幅高达54%。NAND闪存市场也录得184.22亿美元（约合26.9万亿韩元）的销售额，环比增长16.8%。

三星电子进一步巩固了其在NAND闪存市场的领先地位。该公司以53.66亿美元（约合7.8万亿韩元）的NAND闪存销售额继续保持第一的位置，市场份额达到29.1%。紧随其后的是SK海力士（19.2%）、铠侠（16.5%）、西部数据（12.5%）和美光（12.2%）。

预计存储器市场繁荣势头将在第四季度延续。CFM预测，由于各应用领域的存储器供应持续短缺，且供应商库存水平仍然较低，因此价格将保持强势。预计第四季度存储器市场规模将再创新高。

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