Intel联手Amkor，剑指台积电

（原标题：Intel联手Amkor，剑指台积电）

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据韩国媒体etnews报道，英特尔正在其位于仁川松岛的Amkor工厂（晶圆厂）推进人工智能（AI）半导体封装技术。AI封装技术此前一直由英特尔在其自有晶圆厂独家研发，此次是英特尔首次将该工艺外包。英特尔选择韩国晶圆厂作为强化其半导体供应链的战略基地，这一决定值得关注。

据业内人士1日透露，英特尔已在Amkor松岛K5工厂建立了尖端封装技术“EMIB”工艺。英特尔和Amkor于今年4月签署了EMIB技术合作协议，松岛K5工厂被选为实际合作的实施地点。

EMIB是一种2.5D封装技术，可将不同的半导体（芯片）连接起来。例如，在AI加速器中，图形处理器（GPU）位于中心，高带宽内存（HBM）环绕其周围。处理器和内存之间的信号通过名为“EMIB（嵌入式多芯片互连桥）”的路径传输，这也是其名称的由来。

目前，该路径采用硅中介层实现。英伟达的AI加速器就是一个典型的例子。然而，硅中介层成本高昂。EMIB利用嵌入半导体衬底中的硅桥，据称与硅中介层相比，具有更高的性价比和生产效率。它还拥有精确的2.5D封装优势。

英特尔在生产高性能半导体时，一直使用其位于美国和马来西亚的自有晶圆厂进行EMIB封装，但这是它首次做出改变。据报道，此举是为了应对不断增长的需求，扩大供应链。一位

熟悉英特尔情况的业内人士表示：“据我了解，他们不仅准备封装自己的芯片，还准备封装从松岛晶圆厂承接的英特尔订单。”他补充道：“他们正在为扩大产能奠定基础。”

英特尔选择安靠的松岛晶圆厂尤其值得关注。除了美国和韩国，Amkor还在新加坡设有封装厂。

然而，选择松岛K5工厂的原因在于其拥有先进的设备，能够为英伟达和苹果等北美大型科技公司封装半导体，以及其卓越的封装基础设施，包括材料、组件、设备和人力资源。除了为松岛带来经济和产业效益外，预计此举还将提升英特尔在全球半导体供应链中的地位。

英特尔计划明年量产其下一代EMIB技术“EMIB-T”。这项下一代技术结合了桥接和硅通孔（TSV）。通过保护垂直信号路径（TSV），它可以显著提高成品的速度和性能。它被认为是英特尔在人工智能半导体领域的关键战略之一。

英特尔详细介绍最新先进封装技术突破

在今年五月的在电子元件技术大会 (ECTC) 上，英特尔公布了多项芯片封装技术的突破性进展，并详细介绍了多种新型芯片封装技术的优势。我们采访了英特尔院士兼基板封装开发副总裁 Rahul Manepalli 博士，以了解更多关于其中三项新型封装技术的信息：EMIB-T 技术可同时提升芯片封装尺寸和供电能力，从而支持 HBM4/4e 等新技术；一种新型分离式散热器设计；以及一种新型热键合技术，可提高可靠性和良率，并实现更精细的芯片间连接。此外，英特尔还在本次大会上发表了其他 17 篇论文。

英特尔晶圆代工旨在利用领先的制程工艺技术，为英特尔内部和外部公司生产芯片。然而，现代处理器越来越多地采用复杂的异构设计，将多种计算和存储组件集成到单个芯片封装中，从而显著提升性能、降低成本并提高能效。这些芯片设计依赖于日益复杂的先进封装技术，而这些技术正是异构设计的基础。因此，英特尔必须不断进化，才能与台积电等竞争对手保持同步。

英特尔四月在其 Intel Direct Connect 活动上 首次公开的新型 EMIB-T，将硅通孔 (TSV) 集成到其已广泛使用的EMIB 技术中 ——EMIB 是一种嵌入封装基板中的硅桥，可在芯片/芯片之间提供通信和电源管道。

新一代EMIB技术提升了关键的封装供电效率指标，并加快了芯片间的通信速度。EMIB-T能够更有效地为计算和存储组件供电——传统的EMIB连接由于采用悬臂式供电路径而存在电压降过大的问题，而EMIB-T则利用TSV从芯片封装底部通过TSV桥接芯片供电，从而实现了直接、低阻抗的供电路径，这对于HBM4/4e的集成至关重要。

当然，TSV 的使用也提升了芯片间的通信带宽，从而能够集成高速 HBM4/4e 内存封装，并利用UCIe-A 互连技术将数据传输速率提升至 32 Gb/s 或更高。虽然通过同一接口传输电源和信号会在信号路径中引入“噪声”，但英特尔在桥接电路中集成了高功率 MIM 电容器，以确保通信信号的稳定性。

EMIB-T 还支持更大的芯片封装尺寸，可达 120x180 毫米，并在单个大型芯片封装中支持超过 38 个桥接器和超过 12 个矩形光刻胶尺寸的芯片。此外，第一代 EMIB 实现了 55 微米的凸点间距（互连密度的关键指标），而第二代 EMIB 则缩小至 45 微米间距。英特尔的论文展示了一种 45 微米间距的 EMIB-T 设计，但指出这项新技术支持“远小于”45 微米间距，并表示很快将实现 35 微米间距，目前正在开发 25 微米间距。英特尔尚未公布每比特皮焦耳 (pJ/bit) 的能效指标。EMIB-T 还兼容有机或玻璃基板，后者是英特尔未来芯片封装战略的关键方向。

人工智能革命正推动芯片封装尺寸迈向新的高度，随之而来的是功耗的增加，这带来了棘手的散热难题。英特尔还公布了一种新型的解耦式散热器技术，该技术将散热器拆分为平板和加强筋，以改善散热器与位于散热器和下方芯片之间的导热界面材料（TIM）之间的耦合。除其他优势外，该技术还有助于将焊料与TIM耦合中的空隙减少25%。

英特尔的图示展示了一种带有集成微通道的散热片，这些微通道可将液体直接输送到集成散热器 (IHS) 以冷却处理器，这与我们在其 Direct Connect 大会上展示的内容非常相似。虽然该论文主要关注将散热片拆分为多个部分的效果，但这项能够冷却 TDP 高达 1000W 处理器封装的技术的引入，凸显了英特尔正从多个角度着手解决芯片散热问题。

英特尔在其服务器和消费产品中都采用了热压键合技术；然而，现在它专门针对大型封装基板开发了一种新的热压键合工艺，有助于克服键合过程中芯片和基板的翘曲。

这项新技术最大限度地降低了键合过程中封装基板和芯片之间的温差，从而提高了良率和可靠性指标，并实现了比目前大批量生产中更大的芯片封装尺寸。它还支持更小的EMIB连接间距，有助于进一步提高EMIB-T技术的密度。

对于英特尔晶圆代工而言，拥有一套全面且具有竞争力的封装技术至关重要，因为其目标是为客户提供尽可能全面的芯片生产方案。先进的芯片封装技术使客户能够将来自多个供应商的不同类型的芯片（例如 CPU、GPU 和内存）集成到单个封装中，从而降低所有组件都必须完全采用英特尔工艺节点的风险。事实上，英特尔还提供完全不使用任何英特尔制造组件的芯片封装服务，这有助于与潜在新客户建立联系，从而推广其芯片制造服务。

芯片封装也已成为英特尔面向外部客户的主要服务之一，这些客户目前包括AWS和思科等行业巨头，以及美国政府的RAMP-C和SHIP项目。由于采用尖端工艺节点生产芯片需要更长的交付周期，因此这些封装合同是英特尔晶圆代工业务快速创收的途径。

（来 源 ： 编译自 etnews ）

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