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联电官宣,发力硅光

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(原标题:联电官宣,发力硅光)

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晶圆代工业者联电昨(8)日宣布与比利时微电子研究中心(imec)签署技术授权协议,取得imec iSiPP300硅光子制程,该制程具备共封装光学(CPO)相容性,藉由此次授权合作,联电将推出12吋硅光子平台,瞄准下世代高速连接应用市场。

联电表示,AI数据负载日益增加,传统铜互连面临瓶颈,硅光子技术以光传输数据,成为数据中心、高效能运算及网路基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。联电将结合imec经验证的12吋硅光子制程技术、加上联电绝缘层上覆硅(SOI)晶圆制程,为客户提供高度可扩展的光子芯片(PIC)平台。

联电资深副总经理洪圭钧指出,取得imec最先进的硅光子制程技术授权,将加速联电12吋硅光子平台的发展进程。联电正与多家新客户合作,预计在此平台上提供用于光收发器的光子芯片,并于2026及2027年展开风险试产。此外,联电未来系统架构将朝CPO与光学I/O等更高整合度的方向迈进,提供资料中心内部及跨数据中心需要的高频宽、低能耗且高度可扩展的光互连应用解决方案。

IC-Link by imec副总裁Philippe Absil表示,iSiPP300平台具备精巧且高效能的元件,包括微环型调变器,以及锗硅(GeSi)电致吸收调变器(EAM),搭配多样化低损耗光纤介面及3D封装模组。与联电的合作有助扩大硅光子解决方案市场,加速下世代运算系统的导入。

若您对硅光SiGe技术及流片相关话题有更多探讨需求,欢迎添加微信深入交流。

(来 源 :经济日报 )

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。

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