台积电真正的瓶颈显现

（原标题：台积电真正的瓶颈显现）

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随着新一代AI GPU与云端服务商（CSP）自研ASIC陆续进入量产阶段，台积电正加速进行产能优化与制程重配置，以因应客户庞大需求。腾旭投资投资长程正桦指出，台积电在3纳米以既有产线优化与前段、后段产能交错支援为策略，包括台中Fab 15之7纳米旧产能及台南Fab 18之5纳米转进3纳米制程，借此满足明年客户庞大需求。

2026年多数高阶AI芯片将全面导入3纳米或其强化版本，盘点如辉达VR系列、AWS Trainium 3、Google TPU等。

程正桦分析，比起先进封装产能，3纳米制程才是明年真正的瓶颈；台积电于3纳米并非单纯依赖新厂扩建，而是同步启动既有产线的优化与转换策略，如将7纳米、5纳米产线转进3纳米制程，借此提升整体的资本使用效率。

至于先进封装产能，台积电CoWoS仍将是AI芯片的主流封装方案。法人认为，台积电明年先进封装产能建置依旧积极，CoWoS至年底月产能上看12万片。程正桦观察，封装需求外溢至专业封测代工厂（OSAT），不仅可纾解短期产能压力，也有助于降低未来封装技术世代更迭所带来的风险。

半导体业界观察，随着AI GPU与ASIC导入更多运算单元与I/O设计，单位晶圆可切割的有效晶粒数下降，放大先进制程晶圆需求；以辉达Rubin GPU为例，8倍光罩尺寸（Reticle size）之可切割晶粒（Good die per wafer）只有4颗，但如果以方形载具效率将成长3倍，CoPoS将会是明年技术发展重点。

据悉，代工龙头预计在明年第二季建置CoPoS之RD实验线，研发预计2027年底完成、2028年进入量产。

设备业者指出，CoPoS仍然会先沿用既有CoWoS供应商，但是存在机会并不代表一定能顺利打入，其中，相关验证时间长达三～五年、良率也是大客户要求的重点。

设备业者透露，未来CoPoS处理的晶圆变大，机台面积（footprint）也要放大，此外，因为处理的芯片都是Good die（良品裸晶粒），报废成本高，机台复杂度提升很多。

2nm产能已排至2026年底

台积电预计2纳米制程时代将于明年开启，产能已排至2026年底。外媒报导，GAA（全环闸极）架构的技术突破是其极具吸引力的卖点。

苹果A20和A20 Pro等芯片组将成为推动台积电2纳米技术普及的主要动力，而台积电则处于整个制程制程的最前线。 wccftech指出，台积电先前曾因3纳米制程采用FinFET（鳍式场效电晶体）技术而面临技术瓶颈。现今，台积电推出的GAA架构旨在提升2纳米制程的效能与效率，最终吸引了众多客户采用此制程。

与FinFET相比，GAA的优点在于它采用了纳米片堆叠技术，不仅能更精确地控制电流，还能显著降低漏电流。这使得2纳米制程能够在相同功耗下实现10-15%的效能提升，或在特定效能等级下降低25-30%的功耗。

先前有通报称，台积电两座2纳米工厂已全部订满，为满足市场需求，该公司不得不启动三座新生产线的建设，预计总投资将达286亿美元。台积电2纳米制程的整个产能已排满至2026年，预计年底前开始量产。

高通、联发科、苹果、超微等众多客户都是2纳米制程的知名用户，但台积电难以满足如此旺盛的需求，一个主要原因是据传苹果为了压制竞争对手，已预定了超过一半的初始产能。据悉，台积电计划在2026年底将其月产量提升至10万片，这项尖端技术将成为其成长的主要驱动力。

据三星已于今年稍早开始量产其2纳米GAA制程，但与先前的3纳米GAA制程相比，已公布的性能、效率和面积数据并不十分详尽，这可能是由于良率尚未达到最佳状态。

（来源：工商时报）

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