SiC供过于求，中国加速设备国产化

（原标题：SiC供过于求，中国加速设备国产化）

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功率型碳化硅（SiC）市场正持续转型。在经历了2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，该行业目前正进入调整期。Yole Group最新发布的报告对这一转变进行了深入分析。

他们表示，汽车市场的放缓降低了对碳化硅的需求，从而改变了碳化硅的供应链。产能利用率下降、产能过剩和投资减少的循环引发了业内人士的担忧。然而，尽管市场放缓，碳化硅在电气化路线图中仍然占据核心地位，预计到2030年，其器件收入将接近100亿美元。

由2019年至2024年资本支出激增推动的行业首个主要投资周期，造成了上游产能的严重过剩。截至2025年，上游工艺的产能利用率已降至50%左右，器件生产线的产能利用率已降至70%左右。预计这种低迷状态将持续到2027-2028年，届时8英寸生产平台以及下一代沟槽和超结MOSFET将带来新的增长。

大部分新增设备资本支出集中在中国大陆，因为政府鼓励本地采购设备。到2024年，中国企业已占据约40%的碳化硅晶圆和外延晶圆产能，并正迅速扩张至器件制造领域。虽然设备生态系统尚未完全实现自给自足，但国内供应商在PVT和HTCVD设备领域已取得显著进展。

Yole Group的Taguhi Yeghoyan指出： “中国在碳化硅前端加工能力方面正在迅速追赶。尽管国际企业在减薄、计量和先进离子注入方面仍然保持领先地位，但中国本土供应商现在已在碳化硅晶体生长和外延方面展开正面竞争。”

尽管经济低迷，但IDM厂商仍在200mm SiC产能和先进MOSFET架构方面进行战略投资，即使中国国内生态系统正在发展壮大，IDM厂商仍保持着全球领先地位。

中国加速设备国产化

近年来，受电动汽车和工业需求的推动，功率型碳化硅（SiC）器件市场蓬勃发展，预计2024年至2030年将以23.9%的复合年增长率增长。这一扩张得益于2025年前产能的大幅提升，而这主要得益于2019年启动的第一波投资浪潮。与硅设备的兼容性加快了从实验室到晶圆厂的生产进程，但也造成了严重的产能过剩，预计到2025年产能利用率将降至50%至70%左右。设备资本支出在2023年达到峰值后将大幅下降，预计在2027/2028年触底，导致2024年至2030年的复合年增长率为-7%。

尽管如此，垂直整合型企业仍以低于2023年的水平继续投资，以提升盈利能力。随着周期触底反弹，器件收入回升，新的投资将转向器件加工和后端领域。测试设备表现突出，预计 2024 年至 2030 年的复合年增长率将达到 3%，这反映出随着 SiC 的普及加速，对先进验证的需求稳步增长。

生产能力转移到亚洲，设备也随之转移

碳化硅晶圆和器件生态系统最初在欧洲、美国和日本扎根，过去十年间，以汽车功率器件领军企业为首的大规模投资重塑了这些地区的产业格局。然而，到2025年，这一格局将发生显著变化，与更广泛的半导体行业格局相呼应：中国大陆正在迅速扩张产能，这得益于巨额的私人和公共资金投入，而芯片制造商的盈利能力却鲜有考虑。因此，预计未来五年内，全球超过50%的晶圆产能将位于中国，而器件产能则主要仍由在东南亚运营晶圆厂的西方企业掌控。这种地域格局的重新平衡也重塑了设备生态系统——中国本土供应商正在快速扩张，而国际供应商也越来越多地在东南亚设立制造和销售机构，以保持竞争力并抓住增长机遇。

混合型芯片制造商——

对设备供应商而言既是祸也是福

碳化硅（SiC）价值链为设备供应商带来了挑战和机遇。虽然上游晶锭和外延晶圆工序需要专用的SiC设备，但大多数器件工艺仍可利用硅设备，因为许多功率芯片制造商在传统节点上运行着垂直整合的混合型晶圆厂。这种动态限制了对纯SiC设备的需求，但也为更广泛的器件生产带来了机遇。然而，SiC独特的特性——缺陷率、硬度、脆性、透明度、各向异性和化学稳定性——维持了对升级和新系统的强劲需求。在2023年这个高峰年，SiC在大多数设备类别中的销售额占比仅为个位数，但对于高温化学气相沉积（HTCVD）和离子注入机供应商而言，其收入占比达到了20%。展望未来，随着材料质量的提高，2025年至2030年期间，晶圆尺寸的转变和器件架构的多样化将推动增长，从而支撑整个生态系统中设备的持续销售。

https://www.yolegroup.com/product/report/power-sic-2025---front-end-manufacturing-and-equipment/?utm_source=PR&utm_medium=email&utm_campaign=PR_Power-SiC-Manufacturing-Equipment_Dec2025

（来源：编译自yole）

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