三星3nm工艺代工英伟达HBM，存储芯片超级周期来临？

（原标题：三星3nm工艺代工英伟达HBM，存储芯片超级周期来临？）

大湾区经济网10月20日讯 AI算力需求的持续膨胀正在重塑全球存储芯片产业格局。最新消息显示，三星据悉拟采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，英伟达已要求三星、SK海力士和美光统一采用该工艺制造基础芯片以推动产品标准化。

与此同时，美光科技透露正在研发专为物理AI应用设计的边缘推理存储器（EIM），业内人士预计2028年下半年实现量产。这一新产品旨在解决AI推理在边缘场景下的存储瓶颈问题。

美银证券认为，近期美股存储股调整已脱离基本面，估值倍数见底。预计2027至2028年存储芯片售价、营收和利润率仍将保持超级周期水平。

从市场表现来看，全球存储芯片需求正受到AI数据中心建设、大模型训练和推理需求的多重驱动。HBM作为AI芯片的核心配套存储，其产能和技术迭代速度直接关系到AI算力的扩张节奏。三大存储巨头统一采用台积电3nm工艺，意味着HBM基础芯片将进入更先进的制程时代。

现货市场方面，10月19日国际存储相关市场表现分化。纳斯达克100指数期货涨1.27%，半导体板块呈现反弹态势。分析师认为，随着AI基础设施投资持续加码，存储芯片作为算力产业链的关键环节，有望迎来新一轮景气上行周期。

文/徐玲，编辑/可可