三星大量生产低成本、高容量的闪存芯片

北京8月15日消息：韩国三星半导体公司于本周三宣布，它已经开始大量生产存储容量为1G位的闪存芯片，该芯片使用了一种能够使芯片更小、成本更低的生产工艺。生产的这一芯片使用0.12微米的生产工艺代替了以前使用的0.15微米生产工艺。

据计算机世界网报道，三星公司在一份声明中表示，使用这一新工艺生产的芯片更小，数据读取速度更快，而且芯片的生产成本也会更低。

这种NAND类型的闪存芯片通常用于诸如数码相机、手持机、数字音乐播放机等设备中，另外它还用于诸如智能媒体卡、压缩闪存卡和安全数字卡等内存卡产品中。设计的此类芯片具有更快速度的重写特性和更高的存储容量。

据三星公司表示，它是第一家使用0.12微米生产工艺大量生产1G位闪存芯片的厂家。它现在也在开发存储容量为2G位的闪存芯片。它的竞争对手东芝公司正在使用0.13微米工艺生产1G位的闪存芯片，而夏普公司在去年表示，预计将在2006年发布存储容量高达16G位、采用0.1微米工艺的闪存芯片。