NXP领投了一家芯片公司

（原标题：NXP领投了一家芯片公司）

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来 源： 内容编译自semiconductor-digest。

开发下一代片上存储技术的初创公司RAAAM Memory Technologies今日宣布，已完成超额认购的 1750 万美元 A 轮融资。本轮融资由恩智浦半导体 (NXP Semiconductors) 领投，其他投资者包括一家领先的跨国网络公司、IAG Capital Partners、EIC Fund、LiFTT、Alumni Ventures 以及所有现有投资者，例如 J-Ventures、Silicon Catalyst Ventures 和 Serpentine Ventures。本轮融资使 RAAAM 的总融资额超过 2400 万美元，其中包括股权投资和著名的 EIC Accelerator 加速器资助。

RAAAM Memory Technologies成立于2021年，总部位于以色列，并在瑞士设有研发中心。其GCRAM产品与高密度SRAM相比，面积最多可减少50%，功耗最多可降低10倍，并且兼容标准CMOS工艺，可实现芯片制造商的无缝采用。

此次新一轮融资将用于支持RAAAM公司在多家顶级晶圆代工厂的先进工艺节点上对其专利片上存储技术（“GCRAM”）进行全面认证。该公司已在领先晶圆代工厂的芯片上验证了其GCRAM技术，并宣布与恩智浦半导体（NXP）展开紧密合作。

“与 SRAM 相比，我们的解决方案有望通过显著提高内存密度和降低功耗来解决尖端 AI 芯片的内存瓶颈问题，”RAAAM 联合创始人兼首席执行官 Robert Giterman 表示。

RAAAM 的 GCRAM 旨在与目前片上存储器的主力军——高密度 SRAM 相比，实现高达 50% 的面积缩减和高达十倍的功耗降低。与需要特殊材料或制造工艺的新兴存储器类型不同，GCRAM 可采用标准 CMOS 工艺制造，并可直接替换现有 SRAM，从而使芯片制造商无需进行成本高昂的重新设计即可扩展存储容量。

RAAAM首席执行官兼联合创始人罗伯特·吉特曼表示：“此次超额认购的融资轮吸引了众多知名战略和金融投资者，再次表明了他们对我们公司及其革命性技术的信心。与SRAM相比，我们的解决方案有望通过显著提高内存密度和降低功耗，解决尖端人工智能芯片的内存瓶颈问题。”

RAAAM首席商务官Eli Leizerovitz表示：“这笔资金，以及来自NXP等战略投资者和一家领先网络公司的支持，有力地证明了业界对我们技术的需求。我们现在能够加快与领先的半导体公司和代工厂的合作，并与客户的产品路线图紧密配合。”

恩智浦半导体前端创新副总裁Victor Wang表示：“我们与RAAAM合作多年，亲眼见证了他们片上存储技术的潜力。他们的解决方案直接解决了先进芯片设计中最关键的挑战之一，我们相信它能够在多种应用中显著提升存储密度并降低功耗。”

“加强欧洲在战略技术领域的领导地位是欧洲创新理事会基金的核心使命，”欧洲创新理事会基金董事会主席斯韦托斯拉瓦·格奥尔基耶娃表示，“RAAAM在片上存储器方面的突破直接解决了半导体价值链中的一个关键挑战。我们很高兴能够支持他们从成熟的原型产品走向市场化解决方案。”

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