SK海力士，DRAM扩产800%

（原标题：SK海力士，DRAM扩产800%）

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来 源 ： 内容来自kedglobal 。

据报道，SK海力士押注AI推理应用市场，计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从2万片提升至16-19万片，增幅达8-9倍，占总产能三分之一以上。随着AI应用从训练转向推理，通用DRAM需求激增，英伟达等科技巨头纷纷采用。业内人士预计，SK海力士设施投资额明年将轻松超过30万亿韩元，显示其对"AI内存超级周期"的强劲信心。

SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。

11月20日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。

报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场。

同时，据华尔街见闻此前文章，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在HBM和通用DRAM市场均占据有利定价地位。

业内人士预计，SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。

尖端制程产能实现跨越式扩张

SK海力士的产能提升计划集中在最先进的1c DRAM技术节点。

报道指出，据行业消息人士透露，该公司计划明年在利川园区通过工艺升级新增14万片月产能，这被视为"最低增幅"。部分业内人士表示，SK海力士也在考虑将月产能提高16万至17万片。

按照SK海力士目前每月平均50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入到先进的1c DRAM生产。

该公司已将1c DRAM的良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品。

这一激进的产能扩张计划显示SK海力士对AI驱动的内存需求持续繁荣抱有强烈信心。分析指出，相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长。

AI推理应用重塑市场需求结构

SK海力士战略调整的核心逻辑在于AI应用重心的转变。

报道称，此前该公司将产能重点放在HBM上，判断HBM需求增长将超过通用DRAM。但随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当。

在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择。

英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用的是GDDR显存而非HBM显存，直接部署在处理器旁边。谷歌、OpenAI和亚马逊网络服务等大型科技公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器。

英伟达使用的SOCAMM2内存模块同样采用1c DRAM。SOCAMM是英伟达主导的面向AI服务器和PC的内存模块标准，与HBM相比带宽较低但能效更高。

英伟达计划在其专有CPU Vera旁边部署SOCAMM2，业内人士预测SK海力士将获得一定数量的供应订单。

据DRAMeXchange数据，DDR4固定交易价格9月突破7美元，创6年10个月来新高。这是因为近年主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应瓶颈蔓延。

一位业内人士表示，随着推理AI市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求。

HBM4涨价逾50%巩固盈利能力

据媒体早前报道指出，SK海力士在与英伟达的HBM4供应谈判中成功将价格提升逾50%至每颗500美元以上。这款HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片Rubin。

HBM4的大幅提价有技术基础支撑。该产品的数据传输通道达到2048个，是前代HBM3E的两倍。

此外，连接图形处理器和HBM的基础芯片中新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺。考虑到这些技术进步带来的成本增加，SK海力士从HBM4开始将此前自主生产的基础芯片外包给台积电。

英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应HBM4，双方一度陷入僵持。

但最终供应价格敲定在SK海力士提议的水平。一位SK海力士高管表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4具备大幅提价的因素。

SK海力士今年3月率先向英伟达交付全球首个HBM4 12层堆栈样品，6月即开始供应初始批次。

该公司近期向机构投资者表示，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量，正在维持当前盈利能力。这意味着即使三星电子和美光进入HBM4市场，也不会对SK海力士的业绩产生不利影响。

双轮驱动推高明年业绩预期

报道还指出，在扩大通用DRAM产能的同时，SK海力士并未放缓HBM布局。

该公司正在扩大1b DRAM产能，用于明年正式向英伟达供应的HBM4。位于清州园区的全新M15X工厂计划于今年年底投产，这条1b DRAM生产线平均每月可生产6万片晶圆。

业界估算SK海力士的HBM4利润率约为60%。市场预计该公司明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元。

若维持与今年相同的利润率，SK海力士仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年的17万亿韩元增长近50%。

随着全球AI基础设施投资热潮推动，通用型DRAM价格同步飙升。分析显示，随着DRAM价格上涨，SK海力士明年通用型DRAM营业利润率也可能接近50%至60%。一位业内人士表示，SK海力士在产品生产前就已售罄明年产能，因此将维持高利润率。

综合HBM4的高利润率和通用型DRAM价格上涨因素，市场预测SK海力士明年营业利润有望超过70万亿韩元，创下历史新高。这一预期建立在该公司已确保HBM4盈利能力、产能提前锁定以及AI内存需求持续旺盛的基础上。

三星1c DRAM，产能扩大到20万片

下一代存储器竞争日趋激烈，三星正加紧努力重夺DRAM市场的领先地位。据ETNews援引消息人士报道，该公司计划到2026年底将其1c DRAM的月产能扩大到20万片晶圆。

报告特别指出，三星的目标是到2025年底实现每月6万片晶圆的产能，到2026年第二季度再增加8万片晶圆，并在第四季度再增加6万片晶圆，最终达到每月20万片晶圆的总产能。这些目标指的是设备建设阶段，目标是在每个里程碑节点都达到量产准备就绪的状态。

三星大胆的1c DRAM扩展战略

三星计划每月专门分配20万片晶圆产能用于生产1c DRAM，这一举措意义重大。据ETNews报道，该公司目前的DRAM总产量估计为每月65万至70万片晶圆，此次新增产能将约占总产量的三分之一，远超三星在2022年半导体繁荣时期新增的13万片晶圆产能。报道指出，此次产能扩张将通过现有DRAM生产线的工艺升级以及对平泽P4工厂的新投资来实现。

此举体现了三星对1c DRAM的信心以及市场需求的强劲。正如报告所述，由于人工智能驱动的增长，DRAM供应已无法满足需求。鉴于买家甚至在产品生产之前就已下单，且三星成功开发了下一代1c DRAM，该公司正在做出战略决策，积极加大投资力度。

值得注意的是，三星已恢复其平泽园区5号线（P5）的建设，该项目此前已暂停两年，目前正在全面推进。据NewsPim报道，P5计划于2028年投入运营，将作为生产下一代HBM和10nm级第六代1c DRAM的关键基地。

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