“订单未改预期，信心已然重估” 美银：阿斯麦(ASML.US)三巨头合作夯实High-NA长期路线图

（原标题：“订单未改预期，信心已然重估” 美银：阿斯麦(ASML.US)三巨头合作夯实High-NA长期路线图）

智通财经APP获悉，周二，阿斯麦(ASML.US)成为市场焦点，美国银行对该公司与台积电(TSM.US)、英特尔(INTC.US)及三星达成的额外芯片制造设备供应协议表示赞赏。该行分析师塞马马重申对阿斯麦的“买入”评级，并维持2452欧元的目标价不变。他称，推动12英寸光掩模版生态系统的建设，对于克服High-NA技术当前局限具有关键意义。

9月8日，荷兰光刻机巨头阿斯麦接连发布多条公告，宣布与全球最大的三家芯片制造商台积电、英特尔和三星电子达成下一代高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻设备的合作承诺。三大巨头同步披露了各自的High-NA量产时间表，并联合发起了一项更为深远的行业倡议：推动沿用数十年的6英寸光掩模版标准向12英寸大尺寸光掩模版过渡。

High-NA EUV被视为现有EUV光刻技术的划时代升级版。当前商用EUV设备的数值孔径(NA)为0.33，而High-NA EUV将这一指标提升至0.55，光刻分辨率大幅提高。这意味着芯片制造商能够在同样面积的晶圆上集成更多晶体管——晶体管尺寸可缩小约1.7倍，密度提升近3倍。

美银分析师迪迪埃·塞马马(Didier Scemama)在给客户的报告中写道：“这些公告与我们对于High-NA(高数值孔径)EUV设备采用节奏的预测一致(今年5台、明年6台、2030年达20台)。”

他指出，“虽然这些订单并未改变我们的财务预测，但显著增强了市场对产业链围绕统一High-NA路线图协同推进的信心。英特尔的量产实践表明，客户目前即可在现有掩模版制式下应用该技术;而台积电、阿斯麦与三星的联合倡议，则为未来充分释放High-NA的生产效率优势铺平了更长期的路径。”

“这对日益增大的AI加速器及光罩尺寸级GPU尤为重要，可使相关设计在制造过程中避免因拼接工艺带来的良率风险，”塞马马进一步表示。“该倡议目标于2031年前建成12英寸掩模版试点线，并于2033年前实现量产就绪。”